Korkut, AbdulkadirGüler, Ferdi2025-05-102025-05-102024https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=P3dtmmHrq-mzEcmCLi1CqfIdYC7WUCNtn8AnyQ8ZDn-3kwJJy3FHe--nmhZUZryUhttps://hdl.handle.net/20.500.14720/24674Arayüzeyi [Alümina + GO] bileşimli (PdNi/Al2O3%100+GO%50/n-Si/AlMn) diyotundaki GO yüzdesi değiştirildi, referans diyotla birlikte elde edilecek en az üç adet Schottky diyotun oda sıcaklığında bazı elektrik özelliklerinin araştırılmıştır. Üretilen diyotlar karanlıkta, düz ve ters gerilim uygulanarak diyotlara ait temel elektriksel parametreler hesaplanmış. Diyotlar değişik ışık akılarında da incelenmiştir. Referans diyot değişkenlerine göre, alümina ve alümina+ grafen arayüzeyli diyotların elektrik parametrelerinin değiştiği belirgin olarak gözlenmiştir.The percentage of GO in the interface [Alümina + GO] compound (PdNi/Al2O3 %100+GO%50/n-Si/AlMn) diode has been changed, and some electrical properties of at least three Schottky diodes to be obtained with the reference diode have been investigated at room temperature. The produced diodes were applied in darkness, flat and re-verse voltage, and the basic electrical parameters of the diodes were calculated. Diodes have also been studied in different light streams. According to the reference diode variables, it has been observed that the electrical parameters of diodes with alumina and alumina+ graphene interface have changed significantly.trFizik ve Fizik MühendisliğiAlüminaPhysics and Physics EngineeringAluminaMaster Thesis83926012