Browsing by Author "Özkartal, Abdullah"

Now showing 1 - 6 of 6

Ni/n-gaas ve Nio/n-gaas Diyotların Elektriksel Parametreleri Arasındaki İlişki
(2021) Noori, Dheyab Thaer; Özkartal, Abdullah
Bu çalışmada, Ni/n-GaAs Schottky ve p-NiO/n-GaAs heteroeklem diyotları termal buharlaştırma yöntemi ile üretilmiştir. Üretilen numunelerin elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile incelenmiştir. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ayrı ayrı hesaplanmıştır. Ayrıca Cheung fonksiyonları yardımıyla da n, Фb ve Rs hesaplanarak sonuçların kararlılığı tespit edilmiştir. Schottky diyot yapısının, p-n diyot yapısından daha iyi idealite faktörüne ve daha düşük engel yüksekliğine sahip olduğu belirlenmiştir.
Preparation of ITO/Cu2S Tfin Film Solar Cells by Spray Pyrolysis
(1996) Özkartal, Abdullah; Engin, Remzi
ÖZET n-ITO ve p-Çu2S ince filmlerinin hazırlanması basit ve maliyeti düşük olduğundan güneş pili yapmak için materyal olarak seçilmiştir. İTO ve CdS ince filmleri püskürtme yöntemi ile 300- 390 °C arasında cam alttabanlar üzerinde hazırlandı. Daha sonra CdS ince filmleri Clevite yöntemi ile Cu2S ince filmlerine dönüştürüldü. Hazırlanan İTO, CdS ve Cu2S ince filmlerinin oda sıcaklığında optik geçirgenlikleri 400-900 nm dalgaboylan arasında ölçüldü. İTO ince filmlerinin optik geçirgenliği %90-98, CdS ince filmlerinin %50-75 ve Cu2S ince filmlerinin %35-50 arasında bulundu. İTO, CdS ve Cu2S ince filmlerinin özdirençleri Van der Pauw yöntemi ve Dört Nokta Ölçer ile ölçüldü. İTO ince filmlerinin özdirenci (6,3-239,8)xl0-2Q-cm, CdS ince filmlerinin özdirenci (4.7-80,4)xl0to-cm ve Cu2S ince filmlerinin özdirenci (9,6-38,2)xl0_1 Q-cm olarak bulundu. ITO/Cu2S ince film güneş pilleri İTO ve Cu2S ince filmlerinden elde edildi. Bu ince film güneş pillerine gümüş boyası ile kontak yapılarak kısa devre akımı ve açık devre gerilimi ölçüldü. ITO/Cu2S ince film güneş pillerinden kısa devre akımı 0,01-0,20 \ıA ve açık devre gerilimi 1-4 mV olarak bulundu.
Production of P-Nio N-Gaas Heterojunction Structures by Thermal Evaporation Method and Their Characterization
(2021) Noorı, Dheyab Thaer; Özkartal, Abdullah
Bu çalışmada, 7.3 x 1015 cm-3 taşıyıcı konsantrasyonuna sahip, 100 doğrultusunda büyütülmüş, 350 µm kalınlığında, Si katkılı n-GaAs kristali kullanıldı. % 99,9 saflıktaki nikel (II) oksit nano tozunu termal buharlaştırma yöntemi ile n-GaAs kristalin üzerine kaplayarak p-NiO/n-GaAs kontakları üretildi. Üretilen kontakların elektriksel ve optiksel özellikleri araştırıldı. Üretilen p-NiO ince filmlerin optiksel ve yapısal özellikleri UV-Vis, EDX ve XRD spektrofotometre teknikleri ile incelendi. p-NiO/n-GaAs diyotların akım-voltaj (I-V) ölçümleri oda sıcaklığında, karanlıkta ve güneş simulatörü altında alındı. Üretilen numunelerin kapasite-voltaj (C-V) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Üretilen kontakların idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb) ve seri direnç (RS) gibi karakteristik diyot parametreleri belirlendi. Bu parametreler Cheung fonksiyonları ile hesaplandı ve I-V den elde edilen sonuçlarla karşılaştırıldı. Bununla birlikte üretilen diyotlar 250 ℃ tavlandı ve termal tavlamanın diyot paramettreleri üzerine etkisi araştırıldı. Elde edilen sonuçlar literatürdeki değerlerle karşılaştırlmış ve termal tavlamanın diyot parametrelerine önemli ölçüde etkidiği görülmüştür. Anahtar kelimeler: Doğrultma faktörü, NiO ince filmi, p-NiO/n-GaAs, Tavlama, Termal buharlaştırma
Püskürtme Yöntemiyle İnce Film Güneş Pilleri Yapımı
(1995) Yaban, Abuzer; Avşar, Murat; Özduran, Mustafa; Engin, Remzi; Özkartal, Abdullah
200-400 °C'de bulunan cam tabanları üzerinde $SnO_2$ , ZnO, CdO, CdS, $CuInSe_2$ ince filmleri tamamen püskürtmeyle, $Cu_2S$ ince filmleri ise Clevite işlemi ile CdS filmlerinin dönüşümünden elde edildi. Bu ince filmlerin yukarıda belirtilen sırada; 200-900 nm dalgaboyu aralığında optik geçirgenlikleri bazı dalgaboylarmda % 98, % 99, % 80, % 76, % 5, % 15, özdirençleri ise (1-60)x$10^{-2}$ $\\Omega$ cm, 12-143 $\\Omega$-cm, (0,02-3,0)x $10^{-3}$ $\\Omega$ cm, 19-800 $\\Omega$ cm,(0,8-1,3)x $10^{-3}$ $\\Omega$ -cm, 2,1-3,8 $\\Omega$ -cm, arasında bulundu. Anılan bu ince filmler arasında $Sn0_2/Cu_2S , ZnO/Cu_2S, CdO/Cu_2S, SnO_2/CuInSe_2, ZnO/CulnSe_2, CdO/CuInSe_2$ ince film güneş pilleri, cam tabanları üzerinde, oluşturularak bu ince film güneş pillerinin, yaklaşık 545 W/m2'Iik standart ışınım altında, açık devre gerilimleri ve kısa devre akımları ölçüldü. Yukarıda anılan sırada bu ince film güneş,pillerinin; açık devre gerilimleri 0,4-1,4 mV, 5-50 mV, 1-8 mV, 0,4-0,7 mV, 5-18 mV, 0,2-1,2 mV arasında, kısa devre akımları ise 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1-4 $\\mu$ A arasında, 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1 $\\mu$A'den daha küçük, 1 $\\mu$A civarında, saptandı. Bulunan bu değerlerin çok küçük olması nedeniyle söz konusu bu ince film güneş pillerinin verimleri belirlenemedi.
Termal Buharlaştırma Yöntemi ile Üretilen N-zno/p-si Heteroeklem Kontakların Elektriksel ve Optiksel Karakterizasyonu
(2021) Özkartal, Abdullah
Bu çalışmada, n-ZnO ince filmi hem p-Si yarıiletkeni ve hem de mikroskop camı üzerinde termal buharlaştırma yöntemi ile üretildi. n-ZnO ince filmler, UV-Vis spektroskopisi, X-ışını kırınımı (XRD) ve enerji dağılımlı X-ışını spektroskopisi (EDX) ile incelendi. n-ZnO/p-Si diyotların elektriksel özellikleri karanlıkta ve oda sıcaklığında, akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) ölçümleri ile belirlendi. Üretilen numunelerin idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Фb) ve seri direnci (Rs), I-V ve C-V ölçümlerinden ve Cheung fonksiyonlarından hesaplandı. Ayrıca n-ZnO/p-Si diyotların fotodiyot özellikleri 100 mW/cm2 ve AM 1.5 aydınlatma altında incelendi.
The Effect of Different Photoanodes on the Efficiency of Dye Sensitive Solar Cells (DSSC)
(2024) Esen, Seyran; Özkartal, Abdullah
Dünyamızda artan nüfus ve gelişen teknoloji, enerji ihtiyacını da üstel olarak artırmaktadır. Yenilenebilir enerji kaynaklarına ihtiyaç zaruret noktasına ulaşmıştır. Yenilenebilir enerji kaynağı olarak güneş pilleri önemli bir araştırma alanıdır. Üçüncü nesil olarak adlandırılan boya duyarlı güneş pilleri (DSSC) organik güneş pillerindendir. DSSC yapısı fotoanot, boya, elektrolit ve fotokatot gibi ana materyallerden oluşmaktadır. Bu materyallerdeki küçük değişikler pil verimini önemli şekilde etkilemektedir. Bu çalışmada, TiO2, ZnO ve Sn2O2 üç farklı yarıiletken malzemeden fotoanot üretilmiştir. DSSC yapısında üç farklı fotoanotun güneş simulatörü altında akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapılmıştır. I-V değerlerinden dolum çarpanı (FF) ve pil verimleri (ɳ) hesaplanmıştır. Sonuçlar üç farklı fotoanot açısından karşılaştırılmıştır