Browsing by Author "Özmenteş, Reşit"

Now showing 1 - 3 of 3

The Effects of Surface Oxidation and H-Termination Processes Applied To Si Using Electrolytic Hydrogen Peroxide Solution To The Produced Cu/P-si Schottky Contact Parameters
(2024) Husseın, Qudama Alı Husseın; Temirci, Cabir; Özmenteş, Reşit; Yaman, Abuzer
By using electrolytic hydrogen peroxide (H2O2) solution, oxidation and H-termination processes were applied to the p-Si crystal surface, which will be used for Cu/p-Si Schottky contact production, in a selective and controlled manner. Before the oxidation and H-termination processes, the p-Si(100) wafer used in this study was subjected to conventional chemical cleaning, and ohmic contact was made using pure aluminum (99.99%) metal on its back surface. The p-Si/Al with ohmic back contact was divided into three parts. A rectifying contact was immediately made to the front surface of one of them by using pure copper (99.98%) metal and called the REF (Reference) sample. The front surface of one of the remaining two p-Si/Al parts was oxidized, and the front surface of the other was H-Terminated. Rectifier contacts were made for both using pure copper (99.98%) metal and were named MIS (metal-insulator-semiconductor) and SP (surface passivated), respectively. Current-voltage (I-V) measurements of Schottky diodes of REF, MIS, and SP samples were performed at room temperature and in the dark. From the obtained data, the ideality factor (n), barrier height (Fbo), and series resistance (Rs) values of the samples were determined. As a result of the investigations, it was observed that the surface oxidation and H-Termination processes caused a decrease in the rectification factor and Fbo values of MIS and SP samples. These interesting situations were interpreted by the double-layer theory, which Bardeen predicted could exist on the surface of a semiconductor crystal and contribute to its work function.
Frequence Optimization for Determination of Characteristic Parameters of Schottky Diodes
(2006) Özmenteş, Reşit; Temirci, Cabir
Bu çalışmada daha önceden üretilmiş olan Sn/p-Si Schottky kontaklarıkullanıldı. Numuneler diyot A, diyot B, diyot C ve diyot D olarak adlandırıldı.Numunelerin karanlıkta Akım-Voltaj (I-V), Kapasitans-Voltaj (C-V) ve Kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi FizikBölümü ölçüm laboratuarında oda sıcaklığında alındı. Numunelerin idealitefaktörleri (n) ve engel yükseklikleri (Î¦b), doğru beslem I-V karakteristiklerinden veayrıca sonuçların uyumluluğunu kontrol etmek için Cheungs Fonksiyonlarındanhesaplandı. Numunelerin seri dirençleri Cheungs Fonksiyonlarından belirlendi.Numunelerin iki ayrı frekans değerinde (1 MHz ve 5 MHz'de) C-V karakteristiklerikullanılarak engel yükseklikleri hesaplandı. Numunelerin 5 MHz'deki engelyüksekliği değerlerinin 1 MHz'deki engel yüksekliği değerlerinden daha büyükolduğu tespit edildi ve bu durum kontakların arayüzey hallerine atfedildi. İlaveolarak, diyot A'nın 100 kHz-20 MHz frekans aralığında C-V karakteristiklerindendifüzyon potansiyelini hesaplayarak, difüzyon potansiyeli-frekans değişimigözlendi.Anahtar Kelimeler: Engel yüksekliği, İdealite faktörü, Metal-Yarıiletkenkontak, Schottky kontaki
Hidrojel ve Silikon Hidrojel Yumuşak Kontakt Lenslerin Optiksel Karakterizasyonu
(2024) Özmenteş, Reşit; Korkut, Abdulkadir
Kontakt lensler, görme kusurlarını düzeltmede gözlük alternatifi olarak ortaya çıkan biyomalzemelerdir. Bu çalışmada, Nesofilcon A (Hidrojel-Hy) ve Delefilcon A (Silikon Hidrojel-SiHy) günlük tek kullanımlık yumuşak kontakt lensler UV-görünür ışık spektroskopisi kullanılarak optiksel olarak incelenmiştir. Lenslerin optik soğurma ve geçirgenlik ölçümleri UV-görünür ışık spektrofotometresi ile alınarak, göze gelen radyasyonun zararlı kısmını bloke etme ve zararsız kısmını geçirme özellikleri incelenmiştir. Soğurma spektrumundan, Nesofilcon A lensinin ultraviyole ışığı daha iyi emdiği görülmüştür. Nesofilcon A ve Delefilcon A lenslerinin optik soğurma katsayısı spektrumlarından soğurma kenarları 386 ve 325 nm, optik bant aralığı değerleri ise sırasıyla 3.34 ve 3.98 eV olarak elde edilmiştir. Ayrıca lenslerin kırılma indisi profilleri çizilmiştir. 550 nm dalga boyunda lenslerin kırılma indeksleri Nesofilcon A ve Delefilcon A için sırasıyla 1.55 ve 1.77 olarak hesaplandı. Delefilcon A lensi görünür ışığı iyi iletirken, Nesofilcon A lensi UV ışığını daha iyi bloke ettiği ve kırılma indeksinin üretici tarafından belirtilen 1.40 değerine daha yakın olduğu belirlendi.