Browsing by Author "Bati, Bahri"

Now showing 1 - 2 of 2

Calculation of Current-Voltage, Capacitance- Voltaj and Capacitance-Frequnce Characteristics of Al P-Si Al Schottky Diode
(2010) Bayram, Aksel; Bati, Bahri
Bu çalışmada 13? cm öz dirençli [100] doğrultulu, 500 ? m kalınlıklı, bir tarafı parlatılmış bir tarafı mat p tipi Si üzerine çalışılmıştır.4 adet Al/p-Si/Al Schottky diyotu imal edilmiştir. Bu diyotların I-V, C-V, C-f, karakteristikleri incelenmiş ve bu karakteristiklerinden diyot parametreleri bulunmuştur.I-V karakteristiklerinden faydalanarak ideailte faktörleri; 1.35, 1.48, 1.57 ve 1.65 olarak hesaplandı ayrıca; engel yükseklikleri 0.84 eV, 0.80 eV, 0.83 eV ve 0.80 eV olarak elde edildi. İdealite faktörlerinin birden büyük olmaları diyot yapımı esnasında ara yüzeyde oluşan oksitlenmeye, seri direncin büyüklüğüne ve omik kontağın direncinin büyüklüğüne atfedilebilir.C-f karakteristiklerinde küçük frekanslara karşılık gelen kısımlarda görülen artık kapasite; düşük frekanslarda ara yüzey hallerinin A.C sinyalini takip edebilmesine ve omik kontağın ideal olmayışına atfedilebilir.İdealite faktörlerinin büyük olması diyotların MS yapıdan çok MIS yapıda olduklarını gösterdi.
Effect of Surface Passivation on Capacitance-Voltage Characteristics of Sn/P-si Schottky Contacts
(World Scientific Publ Co Pte Ltd, 2011) Temirci, Cabir; Bati, Bahri
We fabricated the Sn/p-Si Schottky barrier diodes with the interfacial layer metal-insulator semiconductor (D-MIS) and the surface passivation metal semiconductor MS (D-MS) by the anodization or chemical treatment method. The current voltage (I-V) and capacitance voltage (C-V) characteristics of the devices were measured at room temperature. We obtained that the excess capacitance (C-0) value of the MIS Sn/p-Si diode with the anodic oxide layer of 16.88 pF and 0.12 pF for the MS Sn/p-Si ideal diode with the surface passivation by the anodization or chemical treatment method from reverse bias C-V characteristics. Thus, we have succeeded to diminish the excess capacitance value to the limit of 0.12 pF for the MS Sn/p-Si diode by using the anodization or chemical treatment method.