YYÜ GCRIS Basic veritabanının içerik oluşturulması ve kurulumu Research Ecosystems (https://www.researchecosystems.com) tarafından devam etmektedir. Bu süreçte gördüğünüz verilerde eksikler olabilir.

Browsing by Author "Bayram, Aksel"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Master Thesis
    Calculation of Current-Voltage, Capacitance- Voltaj and Capacitance-Frequnce Characteristics of Al P-Si Al Schottky Diode
    (2010) Bayram, Aksel; Bati, Bahri
    Bu çalışmada 13? cm öz dirençli [100] doğrultulu, 500 ? m kalınlıklı, bir tarafı parlatılmış bir tarafı mat p tipi Si üzerine çalışılmıştır.4 adet Al/p-Si/Al Schottky diyotu imal edilmiştir. Bu diyotların I-V, C-V, C-f, karakteristikleri incelenmiş ve bu karakteristiklerinden diyot parametreleri bulunmuştur.I-V karakteristiklerinden faydalanarak ideailte faktörleri; 1.35, 1.48, 1.57 ve 1.65 olarak hesaplandı ayrıca; engel yükseklikleri 0.84 eV, 0.80 eV, 0.83 eV ve 0.80 eV olarak elde edildi. İdealite faktörlerinin birden büyük olmaları diyot yapımı esnasında ara yüzeyde oluşan oksitlenmeye, seri direncin büyüklüğüne ve omik kontağın direncinin büyüklüğüne atfedilebilir.C-f karakteristiklerinde küçük frekanslara karşılık gelen kısımlarda görülen artık kapasite; düşük frekanslarda ara yüzey hallerinin A.C sinyalini takip edebilmesine ve omik kontağın ideal olmayışına atfedilebilir.İdealite faktörlerinin büyük olması diyotların MS yapıdan çok MIS yapıda olduklarını gösterdi.