Browsing by Author "Bozkurt, Hikmet"

Now showing 1 - 1 of 1

Investigation of Capaticance in Metal-Semiconductor Contacts According To Interface States
(2009) Bozkurt, Hikmet; Temirci, Cabir
Biz bu çalışmada, Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Yoğun Madde Fiziği Araştırma Laboratuarında Cu/p-Si Schottky kontakları ürettik. Bu kontakları diyot 1,diyot 2, diyot 3, ve diyot 4 olarak isimlendirdik. Numunelerin Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj (C-V) ve Kapasite-frekans ( C-f) ölçümleri yukarıda bahsedilen laboratuarda, oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Diyotların idealite faktörü (n) değerleri ve engel yüksekliği (?b) değerleri doğru belsem I-V karakteristikleri kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan bu değerlerin doğruluğunu kontrol etmek için hesaplamalar Cheung Fonksiyonları kullanılarak tekrar yapıldı. İlave olarak kontakların seri direnç değerleri yine Cheung Fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Numunelerin idealite faktörü (n) değerlerinin 1'den büyük olması arayüzey tabakasına ve arayüzey durumlarına atfedildi.C-f grafiklerinden, kapasite değerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. C-f grafiklerinden gözlenen düşük frekanslardaki yüksek kapasite değerleri, arayüzey hallerinden kaynaklanan bir artık sığaya işaret etmektedir. Diğer taraftan, C-f grafiklerinden gözlenen, yüksek frekanslardaki düşük kapasite değerleri arayüzey hallerinin yüksek frekanslarda ac sinyalini takip edememesine atfedilebilir.Anahtar Kelimeler: Sığa, Arayüzey halleri, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Schottky kontak.