Browsing by Author "Engin, Remzi"

Now showing 1 - 4 of 4

Preparation of ITO/Cu2S Tfin Film Solar Cells by Spray Pyrolysis
(1996) Özkartal, Abdullah; Engin, Remzi
ÖZET n-ITO ve p-Çu2S ince filmlerinin hazırlanması basit ve maliyeti düşük olduğundan güneş pili yapmak için materyal olarak seçilmiştir. İTO ve CdS ince filmleri püskürtme yöntemi ile 300- 390 °C arasında cam alttabanlar üzerinde hazırlandı. Daha sonra CdS ince filmleri Clevite yöntemi ile Cu2S ince filmlerine dönüştürüldü. Hazırlanan İTO, CdS ve Cu2S ince filmlerinin oda sıcaklığında optik geçirgenlikleri 400-900 nm dalgaboylan arasında ölçüldü. İTO ince filmlerinin optik geçirgenliği %90-98, CdS ince filmlerinin %50-75 ve Cu2S ince filmlerinin %35-50 arasında bulundu. İTO, CdS ve Cu2S ince filmlerinin özdirençleri Van der Pauw yöntemi ve Dört Nokta Ölçer ile ölçüldü. İTO ince filmlerinin özdirenci (6,3-239,8)xl0-2Q-cm, CdS ince filmlerinin özdirenci (4.7-80,4)xl0to-cm ve Cu2S ince filmlerinin özdirenci (9,6-38,2)xl0_1 Q-cm olarak bulundu. ITO/Cu2S ince film güneş pilleri İTO ve Cu2S ince filmlerinden elde edildi. Bu ince film güneş pillerine gümüş boyası ile kontak yapılarak kısa devre akımı ve açık devre gerilimi ölçüldü. ITO/Cu2S ince film güneş pillerinden kısa devre akımı 0,01-0,20 \ıA ve açık devre gerilimi 1-4 mV olarak bulundu.
Preparation of SnO2/CuInSe2 Thin Film Solar Cells by Spray Pyrolysis
(1996) Yaman, Abuzer; Engin, Remzi
Bu çalışmada, püskürtme yöntemiyle Sn02 ve CuInSe2 ince filmleri çeşitli alttaban sıcaklıklarında hazırlandı. Her ikisinin optik ve elektriksel özellikleri incelendi. Sn02'nin optik geçirgenliğinin görünür bölgede % 80-98 arasında, CuInSe2'nin ise % 0.2-15 arasında olduğu gözlendi. Böylece CuInSe2'nin çok iyi bir soğurucu olduğu görüldü. Sn02 ve CuInSe2 ince filmlerinin elektriksel özellikleri dört nokta ölçer aleti ile ölçüldü. Sn02'nin özdirenci 0.9-91.7 Hem, direnci 0.79xl02-79.6xl02 H, katman direnci de 0.36xl03-36.1xl03 Ü./Ü olarak bulundu. CuInSe2'nin özdirenci 0.01- 72.0 n-cm, direnci 0.96-9.7x1 03 Q. ve katman direnci ise 0.04xl02-438.4xl02 Q/0 olarak saptandı. Özdirençler ayrıca Van der Pauw yöntemiyle de ölçüldü ve Sn02'nin özdirenci 0.12xl0_2-40.9xl0-2 ficm, CuInSe2'nin özdirenci ise 0.76xl0-3- 2.02xl0~3 Ocm olarak bulundu. Sn02 ve CuInSe2 ince filmlerinden heterokavşaklı Sn02/CuInSe2 ince film güneş pilleri oluşturuldu. Bu ince film güneş pillerine gümüş boyası ile kontaklar yapılarak açık devre gerilimleri ve kısa devre akımları ölçüldü. Açık devre geriliminin 2-3 mV arasında, kısa devre akımının ise 1-2 uA arasında olduğu görüldü. Bu değerlerin düşük olması nedeniyle I-V eğrisi çizimi yapılamadı.
Preparation of ZnO/Cu2 S Thin Film Solar Cells by Spray Pyrolysis
(1995) Özduran, Mustafa; Engin, Remzi
oz Bu çalışmada ZnO ve CdS ince filmleri püskürtme yöntemiyle hazırlandıktan sonra, CdS ince filmi Clevite yöntemi ile CıijS ince filmine dönüştürüldü. ZnO ve C112S ince filmlerinden ZnO/CujS ince film güneş pilleri elde edildi. ZnO, CdS ve CujS ince filmlerinin elektriksel iletkenliğine ve optik geçirgenliği incelendi. Heterokavşaklı ZnO/Cı^S ince film güneş pillerinin açık devre gerilimleri ölçüldü.
Püskürtme Yöntemiyle İnce Film Güneş Pilleri Yapımı
(1995) Yaban, Abuzer; Avşar, Murat; Özduran, Mustafa; Engin, Remzi; Özkartal, Abdullah
200-400 °C'de bulunan cam tabanları üzerinde $SnO_2$ , ZnO, CdO, CdS, $CuInSe_2$ ince filmleri tamamen püskürtmeyle, $Cu_2S$ ince filmleri ise Clevite işlemi ile CdS filmlerinin dönüşümünden elde edildi. Bu ince filmlerin yukarıda belirtilen sırada; 200-900 nm dalgaboyu aralığında optik geçirgenlikleri bazı dalgaboylarmda % 98, % 99, % 80, % 76, % 5, % 15, özdirençleri ise (1-60)x$10^{-2}$ $\\Omega$ cm, 12-143 $\\Omega$-cm, (0,02-3,0)x $10^{-3}$ $\\Omega$ cm, 19-800 $\\Omega$ cm,(0,8-1,3)x $10^{-3}$ $\\Omega$ -cm, 2,1-3,8 $\\Omega$ -cm, arasında bulundu. Anılan bu ince filmler arasında $Sn0_2/Cu_2S , ZnO/Cu_2S, CdO/Cu_2S, SnO_2/CuInSe_2, ZnO/CulnSe_2, CdO/CuInSe_2$ ince film güneş pilleri, cam tabanları üzerinde, oluşturularak bu ince film güneş pillerinin, yaklaşık 545 W/m2'Iik standart ışınım altında, açık devre gerilimleri ve kısa devre akımları ölçüldü. Yukarıda anılan sırada bu ince film güneş,pillerinin; açık devre gerilimleri 0,4-1,4 mV, 5-50 mV, 1-8 mV, 0,4-0,7 mV, 5-18 mV, 0,2-1,2 mV arasında, kısa devre akımları ise 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1-4 $\\mu$ A arasında, 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1 $\\mu$A'den daha küçük, 1 $\\mu$A civarında, saptandı. Bulunan bu değerlerin çok küçük olması nedeniyle söz konusu bu ince film güneş pillerinin verimleri belirlenemedi.