Browsing by Author "Evcil, Mehmet Ali"

Now showing 1 - 1 of 1

Production of Sno2 P-Si Heterojunction Structures by Thermal Evaporation, Investigation of Diode and Photovoltaic Characteristics of Them
(2019) Evcil, Mehmet Ali; Temirci, Cabir
SnO2/p-Si heteroeklem üretimi için ρ= 1-10 Ω.cm özdirençli p-Si (100) tek kristal wafer kullanıldı. Silisyum'un (p-Si) kimyasal temizleme işlemi geleneksel prosedüre göre yapıldı. Omik kontak yapımı için, kristalin arka yüzeyine kimyasal olarak temizlenmiş olan Al (%99.999) metali, vakum kaplama ünitesi kullanılarak, buharlaştırıldı.Ardından kuartz tüplü fırın vasıtasıyla 580 oC de azot atmosferinde 3 dakika süreyle tavlandı. Omik kontak işleminden sonra tedarikçiden alındığı şekliyle (ilave bir işlem yapılmadan) toz halindeki SnO2 kullanılarak vakum kaplama ünitesinde termal buharlaştırma yöntemi ile SnO2/p-Si heteroeklem yapılarının üretimleri gerçekleştirildi. Üretilen heteroeklem yapılardaki SnO2 filmlerin optiksel incelemesi için, 'Shimadzu 2450 UV-Vis spektrofotometre' cihazı kullanılarak, görünür ışık bölgesinde filmin yüzeyine düşen foton dalga boyuna karşılık geçirgenlik ölçümleri alındı. SnO2/p-Si heteroeklemlerin elektriksel karakterizasyonu için, 'Keithley 6487 pikoammeter and voltage source' cihazı kullanılarak, numunelerin oda sıcaklığında ve karanlıkta doğru ve ters beslem akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı ve numunelere ait idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb), doğrultma faktörü, seri direnç (Rs) gibi karakteristik parametreler belirlendi. Ayrıca elde edilen sonuçların doğruluğunu kontrol etmek için Norde fonksiyonu ve Cheung fonksiyonları kullanıldı.Numunelerin fotovoltaik parametrelerinin belirlenmesi için bir solar simülatör yardımıyla, AM1.5 (100 mW/cm2) aydınlatma altında I-V ölçümleri yeniden alındı ve doldurma faktörü (FF), dönüşüm verimi (η) gibi parametreler belirlendi. Bunların yanısıra numunelerin Kapasitans-Voltaj (C-V), Kapasitans-Frekans (C-f), İletkenlik-Voltaj (G-V), İletkenlik-Frekans (G-f) ölçümleri de alındı.