YYÜ GCRIS Basic veritabanının içerik oluşturulması ve kurulumu Research Ecosystems (https://www.researchecosystems.com) tarafından devam etmektedir. Bu süreçte gördüğünüz verilerde eksikler olabilir.

Browsing by Author "Hameed, Shkar Dalshad"

Filter results by typing the first few letters
Now showing 1 - 1 of 1
  • Thumbnail Image
    Master Thesis
    Fabrication and Electrical Characterization of Cu N-Si Schottky Contacts by Creating H-Terminated Surface
    (2021) Hameed, Shkar Dalshad; Temirci, Cabir
    Bu çalışmada, ρ=1-10 cm öz dirençli n-tipi (100) yönelimli silisyum (Si) tek kristali kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinden sonra, kristalin arka yüzeyine % 99,999 saflıkta alüminyum (Al) metali buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırını kullanılarak azot atmosferinde tavlanarak omik kontak oluşturuldu. n-Si kristalinin ön yüzeyinin H-sonlu olması için seyreltik hidroflorik asit ile yüzey iyileştirme işlemi uygulandı. Böylece Schottky kontakları, n-Si kristalinin ön yüzeyine %99,99 saflıktaki bakır metali (Cu) termal olarak buharlaştırılarak üretildi. Üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve bunların grafikleri çizildi. Akım-gerilim verileri grafiklerle birlikte değerlendirilerek Schottky diyotların idealite faktörleri (n), bariyer yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametreler elde edildi. Cheung fonksiyonlarını kullanarak diyotların seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ek olarak, yine Cheung fonksiyonlarını kullanarak, numunelerin idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri yeniden belirlendi. Böylelikle üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının karakteristik parametrelerine H sonlandirma ile yapilan yüzey pasivasyon yönteminin katkısı incelendi. Üretilen Cu/n-Si Schottky kontakların C-V, C-f, G-V, G-f ölçümleri de yapılarak, elde edilen ölçüm verilerinden grafikleri çizildi ve Schottky kontak parametreleri ile ilgili hesaplamalar yapıldı. Elde edilen bulgular yorumlanarak, sonuçlar değerlendirildi.