Browsing by Author "Korkut, Abdulkadir"

Now showing 1 - 14 of 14

Comparison of Resistance Parameters of Ohmic and Non-Ohmic Schottky Diodes by Applying Forward and Reverse Bias Voltage
(2021) Tunç, Müslim; Korkut, Abdulkadir
Yeni üretilmiş Metal/p-Si/Cu (omik) ve Metal/p-Si/Cu (non-omik), Schottky diyotların direncine ait parametrelerin nasıl değiştiği araştırılmıştır. Ters ve düz besleme durumunda Schottky diyot parametreleri hesaplanmış, parametreler omik ve nonomik olmasına göre incelenmiştir. Bu verilerden yararlanılarak diyotun toplam direnci de hesaplanmıştır. Yeni bir matematik yaklaşımla 'seri direnç' incelenmiş ve ilginç sonuçlara ulaşılmıştır.
Differential Depletion Charge Density of the Approximation of Schottky Diodes as Ohmic Annealed a Variety of Temperatures
(Gazi Univ, 2020) Korkut, Abdulkadir
This study aimed to investigate the differential depletion charge density for (Ag, Cu, Ni)/n-Si/Al Schottky diodes which depend on ohmic contact temperatures. Ohmic contact temperature defines the Schottky diode parameters. Furthermore, ohmic temperature is concerned with diode quality. In general, depletion charge density is determined as depending on built-in potential. The differential depletion charge density is smaller than zero-voltage depletion charge density (V = 0, Vbi not equal 0) in the case of forward bias and higher than the zero-voltage depletion charge density for reverse bias. When the depletion charge density formula was expanded into a series, new equations revealed appreciable results. Boundary-values were found for differential depletion charge density using normal and expanded formulae.
Effect on Heat Capacity of Degenerated Electron Gas in Dimensionally Quantized Thin Films
(World Scientific Publ Co Pte Ltd, 2008) Korkut, Abdulkadir; Eminbeyli, Ramazan
In this work, the heat capacity in dimensionally quantized semiconductor thin films with Kane's dispersion law is investigated. Under certain conditions, quantum size effect occurs, depending on the thickness of the thin film, the concentration of conductive electrons, and the non-parabolicity parameters. In thin films having non-parabolic energy spectrum in degenerate electron gas, the film thickness depends on the subband number and the concentration. Therefore, heat capacity takes the form of the saw toothwise and changes as non-monotonous.
Examination of Electrical and Solar Cell Properties (pdcumgsn N-Gap Cu) and (pdcumg N-Gap Cu) Schottky Diodes Under the Light in the Case of the Forward and Reverse Bias
(2021) Shafıq, Amanj Lateef; Korkut, Abdulkadir
Bu çalışmada, iki adet Schottky diyot üretilmiştir. Birinin fotodiyot (PdCuMgSn /n-GaP/Cu) diğerinin (PdCuMg/n-GaP/Cu) güneş pili diyot olarak çalıştığı görülmüştür. Çalışmada diyod örnekleri beyaz ışık filtresiz ve altı farklı renkte filter kullanılarak ay-dınlatılmıştır. Aydınlatlatmada kullanılan ışık şiddeti 6200 lx-2000 lx aralığında seçilmiştir. Işık kaynağı diyot örneklerine 10'ar birimlik adımlarla yaklaştırılmıştır (10'luk birim 7.5 cm). Her uzaklık değeri için, diyot örnekleri üzerine düşen ışık akısı akıölçer ile ölçülmüştür. Her ışık akı değerine karşılık gelen diyotların I-V ve C-V data-ları alınmıştır. Fotodiyodun temel ve hesaplanmış değişkenlerinin grafikleri, güneş pili diyotun ise, güneş pili değişkenlerinin grafikleri çizilmiştir. Ek olarak, fotodiyodun da bazı renkli filtreler altında güneş pili gibi davrandığı görülmüştür.
Hidrojel ve Silikon Hidrojel Yumuşak Kontakt Lenslerin Optiksel Karakterizasyonu
(2024) Özmenteş, Reşit; Korkut, Abdulkadir
Kontakt lensler, görme kusurlarını düzeltmede gözlük alternatifi olarak ortaya çıkan biyomalzemelerdir. Bu çalışmada, Nesofilcon A (Hidrojel-Hy) ve Delefilcon A (Silikon Hidrojel-SiHy) günlük tek kullanımlık yumuşak kontakt lensler UV-görünür ışık spektroskopisi kullanılarak optiksel olarak incelenmiştir. Lenslerin optik soğurma ve geçirgenlik ölçümleri UV-görünür ışık spektrofotometresi ile alınarak, göze gelen radyasyonun zararlı kısmını bloke etme ve zararsız kısmını geçirme özellikleri incelenmiştir. Soğurma spektrumundan, Nesofilcon A lensinin ultraviyole ışığı daha iyi emdiği görülmüştür. Nesofilcon A ve Delefilcon A lenslerinin optik soğurma katsayısı spektrumlarından soğurma kenarları 386 ve 325 nm, optik bant aralığı değerleri ise sırasıyla 3.34 ve 3.98 eV olarak elde edilmiştir. Ayrıca lenslerin kırılma indisi profilleri çizilmiştir. 550 nm dalga boyunda lenslerin kırılma indeksleri Nesofilcon A ve Delefilcon A için sırasıyla 1.55 ve 1.77 olarak hesaplandı. Delefilcon A lensi görünür ışığı iyi iletirken, Nesofilcon A lensi UV ışığını daha iyi bloke ettiği ve kırılma indeksinin üretici tarafından belirtilen 1.40 değerine daha yakın olduğu belirlendi.
Investigation of Electrical Parameters of Schottky Diodes Mixed With Alumina and Graphene
(2024) Güler, Ferdi; Korkut, Abdulkadir
Arayüzeyi [Alümina + GO] bileşimli (PdNi/Al2O3%100+GO%50/n-Si/AlMn) diyotundaki GO yüzdesi değiştirildi, referans diyotla birlikte elde edilecek en az üç adet Schottky diyotun oda sıcaklığında bazı elektrik özelliklerinin araştırılmıştır. Üretilen diyotlar karanlıkta, düz ve ters gerilim uygulanarak diyotlara ait temel elektriksel parametreler hesaplanmış. Diyotlar değişik ışık akılarında da incelenmiştir. Referans diyot değişkenlerine göre, alümina ve alümina+ grafen arayüzeyli diyotların elektrik parametrelerinin değiştiği belirgin olarak gözlenmiştir.
Investigation of Nicugo N-Si Alla Schottky Diodes' Electrical Properties Under Light
(2023) Sönmez, Mansur; Korkut, Abdulkadir
Üst kontağı metal ve toz grafen oksit karışımı kullanılarak, NiCuGO(%15)/n-Si/AlLa ve NiCuGO(%30)/n-Si/AlLa olarak grafen oksitli ve aynı diyotlar NiCu metal bileşimi ile karşılaştırma diyotu olarak grafensiz Schottky diyotlar üretildi. Diyotların karanlıkta ve ışık altında elektrik değişkenleri incelendi. Diyotların omik kontağı Al(%75)La(%25) oranında omik kontak yapılmış, diyotların elektriksel değişkenlerinin özelliklerinin nasıl etkilendiği incelenmiştir. İncelemeler ters ve düz besleme durumunda yapılmıştır. Grafen oranı büyük olan diyotların daha kararlı parametre değeri gösterdiği ortaya kon-muştur.
Investigation of Seebeck's Coefficient and Electrical Properties of Schottky Diodes With Different Copper Ratios From Constantan Upper Contact Over a Wide Temperature Range
(2024) Yavuz, Fatma; Korkut, Abdulkadir
Konstantan (Cu%55Ni%45) alaşımındaki bakır yüzdesi değiştirilerek, elde edilen Schottky diyotların 300-700 oK sıcaklık bölgesinde Seebeck katsayısının ve bazı elektrik özelliklerinin araştırılmıştır. Üretilen diyotlara ısı uygulanarak Seebeck katsayıları, düz ve ters gerilim uygulanarak diyotlara ait temel elektriksel parametreler hesaplanmıştır. Bir aygıt olarak, sıcaklığı arttırılmış Schottky diyotun termoelektrik özellikleri incelenmiştir. Bakır oranı değiştirilerek, değişimin etkisi araştırılmıştır
The Investigation of the Fundamental Electrical Parameters of Ag/N-si Hybrid Structure Based on Functional Organic Dye
(Elsevier, 2021) Mahmood, Othman Haji; Imer, Arife Gencer; Ugur, Ali; Korkut, Abdulkadir
The electrical parameters of Ag/n-Si contact and the hybrid structure has been investigated due to their possible usage in optoelectronic device applications. In this study, the hybrid structure was fabricated using the brilliant blue film as an organic interlayer formed via spin coating method. The electrical parameters of both devices have been determined and compared using the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements at room temperature. The experimental results confirmed that the barrier height of hybrid structure is considerably affected; and its performance and quality can be modified/controlled by the functional interfacial organic layer. (c) 2021 Elsevier Ltd. Selection and peer-review under responsibility of the scientific committee of the International Congress on Semiconductor Materials and Devices, ICSMD2018.
A New Approximation: From Barrier Lowering To Interface State Density
(World Scientific Publ Co Pte Ltd, 2021) Korkut, Abdulkadir
In this study, a set of the interface state density (ISD) formulae was derived from the Schottky effect. In contrast to the conventional approximation, a new approximation for the ISD formulae gives very unusual values in the case of forward bias or reverse bias. The former ISD formula contains the oxide thickness in the metal-semiconductor interface region, whereas the new approximation formulae do not contain the oxide thickness. They depend on the applied voltage and built-in potential in the case of both bias. Besides, lowering barrier height is called the Schottky effect. A couple of the new ISD formulae can be proportioned to each other. The ratio is a new coefficient. Moreover, the coefficient is inversely proportional with the a cceptor concentration and third power of zero-voltage depletion length. Moreover, that fraction is inversely proportional to the acceptor concentration and cubic power to depletion length.
On Differential Depletion Length of Schottky Diodes With Copper-Nickel Alloy Metal of Front Contact
(Tubitak Scientific & Technological Research Council Turkey, 2018) Korkut, Abdulkadir
This work was prepared in two sections; the first section describes how to alloy Schottky diodes and aims to understand how metal alloys affect the essential parameters of Schottky diodes at the metal-semiconductor interface. The second section covers the varying differential depletion length in (Cu% Ni%)/n-Si/Al binary-alloyed Schottky diodes. After collecting data, the characteristics of Schottky diodes are calculated by plotting them with an increasing percentage ratio of the first element. We see that alloyed Schottky diode characteristics significantly depend on the mass percentage ratio of the first element. Significant results are seen: first, V-bi (built-in potential) directly affects the characteristics of Schottky diodes with a turning point occurring at the V-bi point on the axis, and second, the built-in potential plays a key role in Schottky diode characteristics. Estimation of the depletion length depends on the built-in potential. For the forward and reverse bias cases, the depletion length versus voltage graphs are identical, but with their symmetry mirrored. Analyzing the differential depletion lengths, it is easily seen that they have higher or lower values compared to the zero depletion length for the forward and reverse bias cases, respectively. When the depletion length formula is expanded in a series, new equations are obtained to show significant effects on Schottky diode characteristics.
On Differential Depletion Length of Schottky Diodes With Copper-Nickel Alloy Metalof Front Contact
(2018) Korkut, Abdulkadir
This work was prepared in two sections; the first section describes how to alloy Schottky diodes and aimsto understand how metal alloys affect the essential parameters of Schottky diodes at the metal–semiconductor interface.The second section covers the varying differential depletion length in (Cu% Ni%)/n–Si/Al binary-alloyed Schottky diodes.After collecting data, the characteristics of Schottky diodes are calculated by plotting them with an increasing percentageratio of the first element. We see that alloyed Schottky diode characteristics significantly depend on the mass percentageratio of the first element. Significant results are seen: first,Vbi(built-in potential) directly affects the characteristicsof Schottky diodes with a turning point occurring at theVbipoint on the axis, and second, the built-in potential playsa key role in Schottky diode characteristics. Estimation of the depletion length depends on the built-in potential. Forthe forward and reverse bias cases, the depletion length versus voltage graphs are identical, but with their symmetrymirrored. Analyzing the differential depletion lengths, it is easily seen that they have higher or lower values comparedto the zero depletion length for the forward and reverse bias cases, respectively. When the depletion length formula isexpanded in a series, new equations are obtained to show significant effects on Schottky diode characteristics.
Spin Kaplama Yöntemiyle Hazırlanan Organik Arayüzeyi İçeren Al/p‐si Diyotunun Fotovoltaik Parametreleri Üzerine Aydınlanmanın Etkisi
(2017) Tombak, Ahmet; Imer, Arife Gencer; Korkut, Abdulkadir
Bu çalışmada, organik ara yüzey olarak brom timol mavisi (BTB) kullanılarak foto voltaik aygıt uygulaması rapor edilmiştir. Kimyasal olarak temizlenen tabanın mat yüzeyine ısıl buharlaştırma yöntemiyle Al arka kontak oluşturulduktan sonra, dönel kaplama yardımıyla organik ara yüzey tabakası Si taban üzerine kaplanmıştır. Aygıt üretimini tamamlamak için, bu organik ince filmin üzerine Al üst kontaklar oluşturulmuştur. Aygıtın foto voltaik özelliklerini iyileştirmek amacıyla hazırlanan örnek farklı şiddetlerdeki aydınlamaya maruz bırakılmıştır. Farklı aydınlanmalar altında aygıtın açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc) ve çıkış gücü (P) gibi temel güneş pili parametreleri belirlenmiştir. Aydınlanma şiddetinin artması ile fotoakım ve fotogerilim değerleri artmıştır. Ayrıca, yüksek ve düşük frekans değerlerinde aygıt sığasının voltaj bağımlılığı rapor edilmiştir. Aydınlanma şiddetinin üretilen aygıtın fotovoltaik parametreleri üzerinde önemli bir etkisinin olduğu sonucuna varılmıştır.
Vacuum Ultraviolet Spectroscopic Analysis of Structural Phases in Tio2 Sol-Gel Thin Films
(Mdpi, 2025) Vasconcelos, Helena Cristina; Meirelles, Maria; Ozmentes, Resit; Korkut, Abdulkadir
This study investigates the structural and electronic transitions of sol-gel derived titanium dioxide (TiO2) thin films using vacuum ultraviolet (VUV) spectroscopy, to elucidate the impact of annealing-induced phase evolution. As the annealing temperature increased from 400 degrees C to 800 degrees C, the films transitioned from amorphous to anatase, mixed anatase-rutile, and finally rutile phases. VUV spectroscopy revealed distinct absorption features: a high-energy sigma -> pi* transition below 150 nm, associated with bonding to antibonding orbital excitations, and lower-energy absorption bands in the range 175-180 nm and near 280 nm, attributed to pi -> pi* and t2g(pi) -> t*2g(pi*) transitions, respectively. These spectral features highlight the material's intrinsic electronic states and defect-related transitions. A slight redshift of the absorption band from 176 nm to 177 nm with annealing reflects bandgap narrowing, attributed to increased rutile content, crystallite growth, and defect-induced effects. Broadening and additional absorption features around 280 nm were attributed to oxygen vacancies and reduced titanium oxidation states (Ti3+), as corroborated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). XPS further confirmed the presence of Ti3+ species and oxygen vacancies, providing complementary evidence of defect-mediated transitions observed in the VUV spectra. While complementary techniques such as X-ray diffraction (XRD) and Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR) confirmed phase transitions and the reduction of hydroxyl groups, respectively, VUV spectroscopy uniquely captured the dynamic interplay between structural defects, phase evolution, and optical properties. This study underscores the utility of VUV spectroscopy as a powerful tool for probing the electronic structure of TiO2 films, offering insights critical for tailoring their functional properties in advanced applications.