Browsing by Author "Seçuk, Mehmet Nurullah"

Now showing 1 - 2 of 2

Current-Voltage Characteristics of Au Pani P-Si Al Organic Inorganic Semiconducting Diodes
(2011) Seçuk, Mehmet Nurullah; Temirci, Cabir
Bu çalışmada [100] doğrultulu p-tipi silisyum tek kristalinin arka tarafına alüminyum (Al) buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Ön yüzüne ise, oda sıcaklığında (T = 300 K), üç farklı polianilin çözeltisi (2 mg/ml'lik Aldrich emeraldin tuzu 530565 ve hazır halde Aldrich emeraldin tuzu 650013 ile Aldrich emeraldin tuzu 649996 çözeltileri) doğrudan ilave edilip kurumaya bırakılarak organik/inorganik p-n eklem diyotlar üretildi. Numuneler A, B ve C diye isimlendirildi. Üretilen PANI/p-Si/Al yapısında PANI filminin üzerine, ölçüm alabilmek için vakum buharlaştırma yoluyla r = 0.05 cm yarıçapında %99.99'luk altın (Au) üst omik kontaklar yapıldı ve üretilen p-n eklem diyotların akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Akım-voltaj ölçüm verileri kullanılarak çizilen lnI-V grafiklerinden, üretilen PANI/p-Si kontakların doğrultucu özellik gösterdiği tespit edildi. Akım-voltaj karakteristikleri ve Cheung&Cheung fonksiyonları kullanılarak tüm kontaklara ait idealite faktörü (n), engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Numunelerin üst kontaklı noktaları için n ve ?b değerlerinin sırasıyla 1.08-5.81 ve 0.53 eV-0.81 eV aralıklarında olduğu belirlendi. Rs değerleri geniş bir yelpazeye dağılmasına karşın, bir kontak için alınan ölçümler arası fark en fazla %20 oldu. Numunelerden A ve C'ye ait her bir kontak için farklı yollarla hesaplanan ?b değerleri birbirine oldukça yakın çıktı. En iyi idealite faktörü sonuçları C numunesinde elde edildi. Seri dirençler açısından numunelerde benzer farklar gözlendi. Her üç numunenin kontakları göz önüne alındığında en iyi neticeler C numunesinde (Aldrich emeraldin tuzu 649996 ile) tespit edildi. Bu durum Aldrich emeraldin tuzu 649996 çözeltisindeki parçacık boyutunun 20 nm'nin altında olmasına atfedilebilir. Tüm bunlar dikkate alınınca, Au/PANI/p-Si/Al yapısının iyi bir doğrultucu özellik gösterdiği anlaşılmaktadır. Bunun yanı sıra üretilen PANI/p-Si kontaklar, organik/inorganik (O/İ) yarıiletken doğrultucu kontak yerine arayüzey (yalıtkan) tabakalı organik/yalıtkan/inorganik (OYİ) yarıiletken doğrultucu olarak değerlendirilebilirler.Anahtar Kelimeler: Doğrultucu, PANI/p-Si, I-V karakteristikleri, organik/inorganik kontak
Investigation of Structural, Elastic, Electronic, Optic, Dynamic and Thermodynamic Properties of Bitecl, Bitebr and Bitei Crystals by Density Functional Theory
(2023) Seçuk, Mehmet Nurullah; Akkuş, Harun
Bu çalışmada hegzagonal topolojik yarıiletken özelliği gösterenBiTeCl, BiTeBr ve BiTeI'nın yapısal, dinamik, termodinamik, elastik, elektronik veoptik özellikleri yoğunluk fonksiyonel teorisi kapsamında ab-initio hesapları ile spin-orbit etkileşimi kullanılmaksızın çalışıldı. Yapısal optimizasyon sonrasında hegzagonal kristallerin temel durum dinamik ve termodinamik özelliklerinden fonon dispersiyonları, fonon durum yoğunluğu, Helmholtz serbest enerjisi, iç enerji, entropi ve sabit hacim ısı sığasının sıcaklığa bağlı değişimi, elastik özelliklerden elastik sertlik ve uyum sabitleri, kararlılık koşulları ve ilgil elastik özellikler, elektronik özelliklerden elektronik bant yapısı, kısmi durum yoğunluğu ve toplam durum yoğunluğu ve optiksel özelliklerden optik dielektrik fonksiyonlar, kırıcılık indisi, sönüm ve soğrulma katsayıları, yansıtıcılık katsayısı, etkin valans elektronları sayısı, hacim ve yüzey kayıp fonsiyonları çalışıldı. Bu çalışmanın sonuçları benzer teorik çalışmalara paraleldir ancak yoğunluk fonksiyoneli teorisinin doğasından ve de bizmut telluro Halitlerin topolojik özelliklerinden kaynaklanan sebeplerle deneysel sonuçlarla arasında farklar bulunmaktadır.