Browsing by Author "Temirci, C."

Now showing 1 - 3 of 3

Au/N-si Schottky Diyotlarda Omik Kontak Direncinin Kapasite-Frekans (c-F) Karakteristiklerine Etkisi
(2001) Temirci, C.; Türüt, A.; Sağlam, M.; Batı, B.
Au/n-Si Schottky diyotlarında, düşük frekanslarda C-f karakteristiklerinde uzay yükü sığasına ilave olarak ortaya çıkan artık kapasite araştırıldı. Omik kontak direnci yüksek ve omik kontak direnci ihmal edilecek kadar düşük olmak üzere iki adet Schottky kontağı arayüzey tabakasız MS Au/n-Si diyot imal edildi. Ayrıca, Schottky kontağı arayüzey tabakalı, omik kontak direnci yüksek ve omik kontak direnci ihmal edilecek kadar düşük olmak üzere iki adet MIS diyotu yapıldı. Bu diyotların oda sıcaklığında l-V ve C-f ölçümleri alınarak karakteristikleri incelendi. Omik kontak direnci düşük ve arayüzey tabakasız diyotta, C-f eğrisinin 200 Hz 'den 2.0 MHz 'e kadar sabit kaldığı gözlendi. Omik kontak direnci düşük arayüzey tabakalı diyotta artık sığa değerinin düşük olduğu, buna karşılık Omik kontak direnci yüksek arayüzey tabakasız diyotta ise artık sığa değerinin daha büyük ve hem Omik kontak direnci yüksek hem de arayüzey tabakalı diyotta ise artık sığa değeri en büyük olarak tespit edildi. Bu gözlemlere göre Au/n-Si Schottky diyotlarında, C-f karakteristiklerinde düşük frekanslarda görülen uzay yükü sığasına ilave kapasitenin sadece arayüzey hallerinden ileri gelmediği, bunun yanında omik kontak direncinin belirgin bir katkısının olduğu ve artık sığanın sadece arayüzey hallerinin bir ölçüsü olamayacağı sonucuna varıldı.
Electrical Characteristics of Organic/Inorganic Pt(Ii) Complex/P-si Semiconductor Contacts
(Elsevier Sci Ltd, 2014) Imer, A. Gencer; Temirci, C.; Gulcan, M.; Sonmez, M.
We produced Pt(II)) complexes using the bidentate ligand N-aminopyrimidine-2-thione (APTH). The optical transmission of thin Pt-APTH films was measured. The optical bandgap of the material was 2.58 eV. With the expectation that it might have semiconductor properties and that the Pt-APTH complex might exhibit rectifier behavior when brought into appropriate contact with a semiconductor, we fabricated Pt-APTH/p-Si contacts by direct addition of a solution of Pt-APTH to the front side of p-Si wafers. Forward bias current-voltage measurements revealed satisfactory rectifying behavior for the Pt-APTH/p-Si contacts, with a mean rectification ratio of 4.40 x 10(2) and a mean barrier height of 0.765 eV. Cheung and Norde functions were used to obtain and verify some electrical characteristics of the contacts. The results obtained from both methods are compared and discussed. (C) 2014 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Relationship Between Photovoltaic and Diode Characteristic Parameters in the Sn/P-si Schottky Type Photovoltaics
(Pergamon-elsevier Science Ltd, 2016) Ozkartal, A.; Temirci, C.
In order to investigate relationship between photovoltaic and diode characteristic parameters, we fabricated four kinds of samples of Sn/p-Si Schottky type photovoltaics using surface treatment by anodic oxidation and chemical etching method. Diode and photovoltaic characteristics of the samples were determined from the current voltage measurements performed in dark and under illumination. Etching time of front surface of the p-Si substrate in HF solution used in the fabrication of Sn/p-Si Schottky type photovoltaics was found to be very influential on diode and photovoltaic parameters. Especially, an etching time of 30 s showed a positive effect both on diode and photovoltaic characteristic parameters. It was also observed that the characteristic parameters of the samples were affected negatively depending on the over-etching time. More importantly, a close relationship between photovoltaic parameters (fill factor, conversion efficiency) and diode parameters (ideality factor, series resistance) was observed. (C) 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.