Browsing by Author "Temirci, Cabir"

Now showing 1 - 18 of 18

Characterization of Cuo/N-si Heterojunction Solar Cells Produced by Thermal Evaporation
(Sciendo, 2018) Ozmentes, Resit; Temirci, Cabir; Ozkartal, Abdullah; Ejderha, Kadir; Yildirim, Nezir
Copper(II) oxide (CuO) in powder form was evaporated thermally on the front surface of an n-Si (1 0 0) single crystal using a vacuum coating unit. Structural investigation of the deposited CuO film was made using X- ray difraction (XRD) and energy dispersive X- ray analysis (EDX) techniques. It was determined from the obtained results that the copper oxide films exhibited single-phase CuO properties in a monoclinic crystal structure. Transmittance measurement of the CuO film was performed by a UV-Vis spectrophotometer. Band gap energy of the film was determined as 1.74 eV under indirect band gap assumption. Current-voltage (I-V) measurements of the CuO/n-Si heterojunctions were performed under illumination and in the dark to reveal the photovoltaic and electrical properties of the produced samples. From the I-V measurements, it was revealed that the CuO/n-Si heterojunctions produced by thermal evaporation exibit excellent rectifying properties in dark and photovoltaic properties under illumination. Conversion efficiencies of the CuO/n-Si solar cells are comparable to those of CuO/n-Si produced by other methods described in the literature.
Charge Storage Capability of Al P-Si Al Schottky Contacts
(2010) Fener, Yücel; Temirci, Cabir
Günümüz teknoloji ve elektronik sanayisinde kullanılan Schottky kontaklar geniş bir kullanım alanına sahiptir. Bu yüzden bu elemanlar üzerinde durulması gerekir..Bu çalışmada, p-Si kristali üzerine Al kontaklar yapıldı. Bu kontakların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) karakteristikleri incelendi.Al/p-Si Schottky kontakların doyma akımı (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği ( ) değerleri I-V karakteristikleri kullanılarak belirlendi. Ayrıca, bu diyotların seri rezistans (Rs) değerleri Cheung fonksiyonları I-V verileriyle birlikte kullanılarak hesaplandı. Sonuçların doğru olup olmadığını kontrol etmek için idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği ( ) Cheung fonksiyonları kullanılarak bir kez daha elde edildi.Belli frekans değerlerinde, diyotların C-V karakteristikleri incelendi ve grafik üzerinde oluşan pikler gözlendi. Al/p-Si Schottky kontakların C-f karakteristikleri incelendi. Uzay yükü kapasitansına ilaveten ortaya çıkan artık kapasitansın oluşma nedenleri incelendi.Anahtar Kelimeler: Schottky diyotları, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Seri direnç.
Comparison of Electrical Properties of Cuo/N-si Contacts With Cu/N-si
(Sciendo, 2020) Ozmentes, Resit; Temirci, Cabir
In this study, CuO/n-Si/A1 heterojunction contacts were fabricated by thermal evaporation technique. Electrical characteristics of the samples were investigated with the current-voltage (I-V), capacitance-voltage/frequency (C-V/f), and conductance voltage (G/V) measurements at room temperature. Also, Cu/n-Si/Al Schottky contact was produced as a reference sample to investigate the electrical properties of the samples. The values of ideality factor (n), barrier height (Phi(b)) and series resistance (R-s) of the samples were calculated from the forward bias current-voltage (I-V) and reverse bias capacitance-voltage (C-V) characteristics. Also, for checking the consistency of the results, Cheung and Norde functions were used. The experimental result values of CuO/n-Si contact were compared with the values of the reference Cu/n-Si Schottky diode. It was observed that the values of the ideality factor and barrier height of the CuO/n-Si heterojunction were higher than those of the Cu/n-Si Schottky contact, while the series resistance was lower. Also, it has been observed that the value of capacitance decreased with increasing frequency and after a certain value of frequency it was almost constant. The ideality factor of CuO/n-Si/Al heterostructure is about 2.40 and so, it is not close to the ideal behavior.
Current-Voltage and Capacitance-Voltage Characteristics of Sn/Rhodamine-101 and Sn/Rhodamine-101 Schottky Barrier Diodes
(Amer inst Physics, 2006) Cakar, Muzaffer; Yildirim, Nezir; Karatas, Sukru; Temirci, Cabir; Turut, Abdulmecit
The nonpolymeric organic compound rhodamine-101 (Rh101) film on a n-type Si or p-type Si substrate has been formed by means of the evaporation process and the Sn/rhodamine-101/Si contacts have been fabricated. The Sn/Rh101/n-Si and Sn/Rh101/p-Si contacts have rectifying contact behavior with the barrier height (BH) values of 0.714 and 0.827 eV, and with ideality factor values of 2.720 and 2.783 obtained from their forward bias current-voltage (I-V) characteristics at room temperature, respectively. It has been seen that the BH value of 0.827 eV obtained for the Sn/Rh101/p-Si contact is significantly larger than BH values of the conventional Sn/p-Si Schottky diodes and metal/interfacial layer/Si contacts. Thus, modification of the interfacial potential barrier for metal/Si diodes has been achieved using a thin interlayer of the Rh101 organic semiconductor; this has been ascribed to the fact that the Rh101 interlayer increases the effective barrier height by influencing the space charge region of Si. (c) 2006 American Institute of Physics.
Current-Voltage Characteristics of Au Pani P-Si Al Organic Inorganic Semiconducting Diodes
(2011) Seçuk, Mehmet Nurullah; Temirci, Cabir
Bu çalışmada [100] doğrultulu p-tipi silisyum tek kristalinin arka tarafına alüminyum (Al) buharlaştırılarak omik kontak yapıldı. Ön yüzüne ise, oda sıcaklığında (T = 300 K), üç farklı polianilin çözeltisi (2 mg/ml'lik Aldrich emeraldin tuzu 530565 ve hazır halde Aldrich emeraldin tuzu 650013 ile Aldrich emeraldin tuzu 649996 çözeltileri) doğrudan ilave edilip kurumaya bırakılarak organik/inorganik p-n eklem diyotlar üretildi. Numuneler A, B ve C diye isimlendirildi. Üretilen PANI/p-Si/Al yapısında PANI filminin üzerine, ölçüm alabilmek için vakum buharlaştırma yoluyla r = 0.05 cm yarıçapında %99.99'luk altın (Au) üst omik kontaklar yapıldı ve üretilen p-n eklem diyotların akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Akım-voltaj ölçüm verileri kullanılarak çizilen lnI-V grafiklerinden, üretilen PANI/p-Si kontakların doğrultucu özellik gösterdiği tespit edildi. Akım-voltaj karakteristikleri ve Cheung&Cheung fonksiyonları kullanılarak tüm kontaklara ait idealite faktörü (n), engel yüksekliği (?b) ve seri direnç (Rs) değerleri hesaplandı. Numunelerin üst kontaklı noktaları için n ve ?b değerlerinin sırasıyla 1.08-5.81 ve 0.53 eV-0.81 eV aralıklarında olduğu belirlendi. Rs değerleri geniş bir yelpazeye dağılmasına karşın, bir kontak için alınan ölçümler arası fark en fazla %20 oldu. Numunelerden A ve C'ye ait her bir kontak için farklı yollarla hesaplanan ?b değerleri birbirine oldukça yakın çıktı. En iyi idealite faktörü sonuçları C numunesinde elde edildi. Seri dirençler açısından numunelerde benzer farklar gözlendi. Her üç numunenin kontakları göz önüne alındığında en iyi neticeler C numunesinde (Aldrich emeraldin tuzu 649996 ile) tespit edildi. Bu durum Aldrich emeraldin tuzu 649996 çözeltisindeki parçacık boyutunun 20 nm'nin altında olmasına atfedilebilir. Tüm bunlar dikkate alınınca, Au/PANI/p-Si/Al yapısının iyi bir doğrultucu özellik gösterdiği anlaşılmaktadır. Bunun yanı sıra üretilen PANI/p-Si kontaklar, organik/inorganik (O/İ) yarıiletken doğrultucu kontak yerine arayüzey (yalıtkan) tabakalı organik/yalıtkan/inorganik (OYİ) yarıiletken doğrultucu olarak değerlendirilebilirler.Anahtar Kelimeler: Doğrultucu, PANI/p-Si, I-V karakteristikleri, organik/inorganik kontak
Effect of Surface Passivation on Capacitance-Voltage Characteristics of Sn/P-si Schottky Contacts
(World Scientific Publ Co Pte Ltd, 2011) Temirci, Cabir; Bati, Bahri
We fabricated the Sn/p-Si Schottky barrier diodes with the interfacial layer metal-insulator semiconductor (D-MIS) and the surface passivation metal semiconductor MS (D-MS) by the anodization or chemical treatment method. The current voltage (I-V) and capacitance voltage (C-V) characteristics of the devices were measured at room temperature. We obtained that the excess capacitance (C-0) value of the MIS Sn/p-Si diode with the anodic oxide layer of 16.88 pF and 0.12 pF for the MS Sn/p-Si ideal diode with the surface passivation by the anodization or chemical treatment method from reverse bias C-V characteristics. Thus, we have succeeded to diminish the excess capacitance value to the limit of 0.12 pF for the MS Sn/p-Si diode by using the anodization or chemical treatment method.
Effect of Uniform Magnetic Field on the Current-Voltage Characteristics of Sn P-Si Schottky Contacts
(2008) Aydemir, Selçuk; Temirci, Cabir
Bu çalışmada, düzgün manyetik alanın ara yüzey tabakalı ve ara yüzey tabakasız Sn/p-Si Schottky diyotların akım-voltaj karakteristikleri (idealite faktörü, engel yüksekliği, seri direnç) üzerine etkileri incelenmiştir.Numunelerin ters beslem ve doğru beslem akım-voltaj ölçümleri 0 G, 50 G, 100 G ve 150 G düzgün manyetik alanlar uygulanarak yapıldı. Akım-voltaj ölçümlerinden her bir numunenin akım-voltaj grafikleri uygulanan manyetik alana bağlı olarak çizildi. Akım-voltaj grafikleri yardımıyla arayüzey tabakalı ve arayüzey tabakasız numunelerin karakteristik parametreleri belirlendi ve uygulanan düzgün manyetik alanın onlar üzerine etkileri incelendi. Hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerini doğrulamak ve seri direnci belirlemek için Cheung fonksiyonları kullanıldı.Ara yüzey tabakasız MS Sn/p-Si (Schottky) kontağın idealite faktörü değeri uygulanan manyetik alana bağlı olarak düşme gösterirken, engel yüksekliği ve seri direnç değeri uygulanan manyetik alanla artma göstermektedir. Ara yüzey tabakalı MIS Sn/p-Si (Schottky) kontağın idealite faktörü değerinin uygulanan manyetik alana bağlı olarak azaldığı, engel yüksekliğinin arttığı tespit edilmiştir. İlave olarak, seri direnç değerinin 0-100 G aralığında azaldığı ve 100 G-150 G aralığında da artma gösterdiği tespit edilmiştir. MIS ve MS kontakların karakteristik parametrelerinin uygulanan manyetik alana bağlı değişimleri farklılıklar göstermektedir. Numunelerin manyetik alanla etkileşiminden kaynaklanan bu farklılıkları ara yüzey tabakasına atfetmekteyiz.
The Effects of an Artificial and Static Magnetic Field on Plant Growth, Chlorophyll and Phytohormone Levels in Maize and Sunflower Plants
(Ferdinand Berger Soehne, 2007) Turker, Musa; Temirci, Cabir; Battal, Peyami; Erez, Mehmet E.
In the present study the effects of a continuous static magnetic field (SMF) on growth and concentration of phytohormones and chlorophylls were investigated in maize and sunflower plants. SMF was applied in two directions; parallel to gravity force (field-down) and anti-parallel (field-up). Chlorophyll concentrations decreased in maize plants, but increased in sunflower in SMF of either direction. Root dry weight decreased in maize and increased in sunflower plants. The changes of dry weight in stem and leaf were not significant (p >= 0.05). The root length decreased in both plant species. Leaf and stem length increased in maize plants in SMF of either direction. Leaf length did not change in sunflower, whereas stem length rose in field-down application of SME Concentrations of gibberellic acid-equivalents (GAs), indole-3-acetic acid (IAA) and trans-zeatin (t-Z) increased in sunflower plants under field-up application of SMF whereas they decreased in SMF of the opposite direction. The concentration of phytohormones decreased in maize plants in SMF of either direction.
The Effects of Surface Oxidation and H-Termination Processes Applied To Si Using Electrolytic Hydrogen Peroxide Solution To The Produced Cu/P-si Schottky Contact Parameters
(2024) Husseın, Qudama Alı Husseın; Temirci, Cabir; Özmenteş, Reşit; Yaman, Abuzer
By using electrolytic hydrogen peroxide (H2O2) solution, oxidation and H-termination processes were applied to the p-Si crystal surface, which will be used for Cu/p-Si Schottky contact production, in a selective and controlled manner. Before the oxidation and H-termination processes, the p-Si(100) wafer used in this study was subjected to conventional chemical cleaning, and ohmic contact was made using pure aluminum (99.99%) metal on its back surface. The p-Si/Al with ohmic back contact was divided into three parts. A rectifying contact was immediately made to the front surface of one of them by using pure copper (99.98%) metal and called the REF (Reference) sample. The front surface of one of the remaining two p-Si/Al parts was oxidized, and the front surface of the other was H-Terminated. Rectifier contacts were made for both using pure copper (99.98%) metal and were named MIS (metal-insulator-semiconductor) and SP (surface passivated), respectively. Current-voltage (I-V) measurements of Schottky diodes of REF, MIS, and SP samples were performed at room temperature and in the dark. From the obtained data, the ideality factor (n), barrier height (Fbo), and series resistance (Rs) values of the samples were determined. As a result of the investigations, it was observed that the surface oxidation and H-Termination processes caused a decrease in the rectification factor and Fbo values of MIS and SP samples. These interesting situations were interpreted by the double-layer theory, which Bardeen predicted could exist on the surface of a semiconductor crystal and contribute to its work function.
Equilibrium Properties of the Spin-1 Ising System With Bilinear, Biquadratic and Odd Interactions
(1996) Kökçe, Ali; Keskin, Mustafa; Temirci, Cabir
The equilibrium properties of the spin-1 Ising system [1] Hamiltonian with arbitrary bilinear (J), biquadratic (K) and odd (L), which is also called dipolar-quadrupolar [2], interactions are studied for zero magnetic field by the lowest approximation of the cluster variation method [3]. The odd interaction is combined with the bilinear and biquadratic exchange interactions by the geometric mean. In this system, phase transition depends on the ratio of the coupling parameter, $\\alpha$ = J/K, therefore, changing of the phase transitions with a is investigated extensively and found that for $\\alpha\\leq 1$ and $\\alpha\\geq 2000$ a second-order phase transition occur, and for $1 < \\alpha < 2000$ a first-order phase transition occur. The critical temperatures in the case of the second-order phase transition and the upper and lower limit of stability temperatures in the case of the first-order phase transition are obtained for different values of a calculating by the Hessian determinant. The first-order phase transition temperatures are found by using the free energy values while increasing and decreasing the temperature. The unstable solutions for the first-order phase transitions are obtained by displaying the free energy surfaces in the form of the contour mapping. Results are compared with the spin-1 Ising system Hamiltonian with only bilinear and biquadratic interactions [4] and found that the odd interaction influences the phase transitions very much.
Fabrication and Electrical Characterization of Cu N-Si Schottky Contacts by Creating H-Terminated Surface
(2021) Hameed, Shkar Dalshad; Temirci, Cabir
Bu çalışmada, ρ=1-10 cm öz dirençli n-tipi (100) yönelimli silisyum (Si) tek kristali kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinden sonra, kristalin arka yüzeyine % 99,999 saflıkta alüminyum (Al) metali buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırını kullanılarak azot atmosferinde tavlanarak omik kontak oluşturuldu. n-Si kristalinin ön yüzeyinin H-sonlu olması için seyreltik hidroflorik asit ile yüzey iyileştirme işlemi uygulandı. Böylece Schottky kontakları, n-Si kristalinin ön yüzeyine %99,99 saflıktaki bakır metali (Cu) termal olarak buharlaştırılarak üretildi. Üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının akım-gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve bunların grafikleri çizildi. Akım-gerilim verileri grafiklerle birlikte değerlendirilerek Schottky diyotların idealite faktörleri (n), bariyer yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametreler elde edildi. Cheung fonksiyonlarını kullanarak diyotların seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ek olarak, yine Cheung fonksiyonlarını kullanarak, numunelerin idealite faktörü ve engel yüksekliği değerleri yeniden belirlendi. Böylelikle üretilen n-Si/Cu Schottky kontaklarının karakteristik parametrelerine H sonlandirma ile yapilan yüzey pasivasyon yönteminin katkısı incelendi. Üretilen Cu/n-Si Schottky kontakların C-V, C-f, G-V, G-f ölçümleri de yapılarak, elde edilen ölçüm verilerinden grafikleri çizildi ve Schottky kontak parametreleri ile ilgili hesaplamalar yapıldı. Elde edilen bulgular yorumlanarak, sonuçlar değerlendirildi.
Frequence Optimization for Determination of Characteristic Parameters of Schottky Diodes
(2006) Özmenteş, Reşit; Temirci, Cabir
Bu çalışmada daha önceden üretilmiş olan Sn/p-Si Schottky kontaklarıkullanıldı. Numuneler diyot A, diyot B, diyot C ve diyot D olarak adlandırıldı.Numunelerin karanlıkta Akım-Voltaj (I-V), Kapasitans-Voltaj (C-V) ve Kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi FizikBölümü ölçüm laboratuarında oda sıcaklığında alındı. Numunelerin idealitefaktörleri (n) ve engel yükseklikleri (Î¦b), doğru beslem I-V karakteristiklerinden veayrıca sonuçların uyumluluğunu kontrol etmek için Cheungs Fonksiyonlarındanhesaplandı. Numunelerin seri dirençleri Cheungs Fonksiyonlarından belirlendi.Numunelerin iki ayrı frekans değerinde (1 MHz ve 5 MHz'de) C-V karakteristiklerikullanılarak engel yükseklikleri hesaplandı. Numunelerin 5 MHz'deki engelyüksekliği değerlerinin 1 MHz'deki engel yüksekliği değerlerinden daha büyükolduğu tespit edildi ve bu durum kontakların arayüzey hallerine atfedildi. İlaveolarak, diyot A'nın 100 kHz-20 MHz frekans aralığında C-V karakteristiklerindendifüzyon potansiyelini hesaplayarak, difüzyon potansiyeli-frekans değişimigözlendi.Anahtar Kelimeler: Engel yüksekliği, İdealite faktörü, Metal-Yarıiletkenkontak, Schottky kontaki
Investigation of Capaticance in Metal-Semiconductor Contacts According To Interface States
(2009) Bozkurt, Hikmet; Temirci, Cabir
Biz bu çalışmada, Yüzüncü Yıl Üniversitesi Fen-Edebiyat Fakültesi Fizik Bölümü, Yoğun Madde Fiziği Araştırma Laboratuarında Cu/p-Si Schottky kontakları ürettik. Bu kontakları diyot 1,diyot 2, diyot 3, ve diyot 4 olarak isimlendirdik. Numunelerin Akım-Voltaj (I-V), Kapasite-Voltaj (C-V) ve Kapasite-frekans ( C-f) ölçümleri yukarıda bahsedilen laboratuarda, oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Diyotların idealite faktörü (n) değerleri ve engel yüksekliği (?b) değerleri doğru belsem I-V karakteristikleri kullanılarak hesaplandı. Hesaplanan bu değerlerin doğruluğunu kontrol etmek için hesaplamalar Cheung Fonksiyonları kullanılarak tekrar yapıldı. İlave olarak kontakların seri direnç değerleri yine Cheung Fonksiyonları kullanılarak hesaplandı. Numunelerin idealite faktörü (n) değerlerinin 1'den büyük olması arayüzey tabakasına ve arayüzey durumlarına atfedildi.C-f grafiklerinden, kapasite değerinin artan frekansla azaldığı gözlendi. C-f grafiklerinden gözlenen düşük frekanslardaki yüksek kapasite değerleri, arayüzey hallerinden kaynaklanan bir artık sığaya işaret etmektedir. Diğer taraftan, C-f grafiklerinden gözlenen, yüksek frekanslardaki düşük kapasite değerleri arayüzey hallerinin yüksek frekanslarda ac sinyalini takip edememesine atfedilebilir.Anahtar Kelimeler: Sığa, Arayüzey halleri, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Schottky kontak.
Metal/Semiconductor Contact Properties of Al/Co(ii)complex Compounds
(Elsevier, 2011) Temirci, Cabir; Gulcan, Mehmet; Goksen, Kadir; Sonmez, Mehmet
A ligand(N-APTH) and Co(II)complex compound of bidentate ligand which contains a ring of the pyrimidine have been produced. For the optical transmission measurements of the Co(II)complex compound thin films, a UV-Visible (UV-Vis) spectrophotometer was employed. As a result of optical measurements. it was revealed that Co(II)complex compound tends to show a semiconductor characteristic with the bandgap value of 3.46 eV. An attempt has been made to explore the rectifying and ohmic properties of Al/Co(II)complex compound/Cu structures assuming that Co(II)complex compound may exhibit a rectifier or ohmic behavior, depending on the fabrication process, when brought into an appropriate contact with a metal. From current-voltage (I-V) measurements, it was found that the device could show good ohmic and rectifying properties intentionally depending on the experimental process followed during fabrication. (C) 2010 Published by Elsevier B.V.
Ohmic and Rectifier Properties of Al/Ligand(n-apth) and Al/Cu(ii)complex Contacts
(Elsevier, 2010) Temirci, Cabir; Guelcan, Mehmet; Goksen, Kadir; Soenmez, Mehmet
We have produced a Ligand(N-APTH) and Cu(II)Complex of bidentate ligand containing a ring of the pyrimidine. Optical transmission measurements of the Ligand(N-APTH) and Cu(II)Complex thin films were performed by using a UV-Visible (UV-VIS) spectrophotometer. From the optical measurements, it was seen that the materials show semiconductor behaviors giving appropriate bandgaps with the values of 3.15 eV and 2.36 eV for Ligand(N-APTH) and Cu(II)Complex, respectively. With the pre-assumption that the material may exhibit a rectifier or ohmic behavior when it is brought into an appropriate contact with a metal, an attempt to explore the rectifying and ohmic properties of Al/Ligand(N-APTH)/Cu and All Cu(II)Complex/Cu contacts was made. As a result of current-voltage (I-V) measurements, it was discovered that the devices show excellent rectifier properties with a rectification ratio of about 10(-3) for All Ligand(N-APTH)/Cu and 10(-5) for Al/Cu(II)Complex/Cu rectifier contacts, respectively. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.
Production of Sno2 P-Si Heterojunction Structures by Thermal Evaporation, Investigation of Diode and Photovoltaic Characteristics of Them
(2019) Evcil, Mehmet Ali; Temirci, Cabir
SnO2/p-Si heteroeklem üretimi için ρ= 1-10 Ω.cm özdirençli p-Si (100) tek kristal wafer kullanıldı. Silisyum'un (p-Si) kimyasal temizleme işlemi geleneksel prosedüre göre yapıldı. Omik kontak yapımı için, kristalin arka yüzeyine kimyasal olarak temizlenmiş olan Al (%99.999) metali, vakum kaplama ünitesi kullanılarak, buharlaştırıldı.Ardından kuartz tüplü fırın vasıtasıyla 580 oC de azot atmosferinde 3 dakika süreyle tavlandı. Omik kontak işleminden sonra tedarikçiden alındığı şekliyle (ilave bir işlem yapılmadan) toz halindeki SnO2 kullanılarak vakum kaplama ünitesinde termal buharlaştırma yöntemi ile SnO2/p-Si heteroeklem yapılarının üretimleri gerçekleştirildi. Üretilen heteroeklem yapılardaki SnO2 filmlerin optiksel incelemesi için, 'Shimadzu 2450 UV-Vis spektrofotometre' cihazı kullanılarak, görünür ışık bölgesinde filmin yüzeyine düşen foton dalga boyuna karşılık geçirgenlik ölçümleri alındı. SnO2/p-Si heteroeklemlerin elektriksel karakterizasyonu için, 'Keithley 6487 pikoammeter and voltage source' cihazı kullanılarak, numunelerin oda sıcaklığında ve karanlıkta doğru ve ters beslem akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı ve numunelere ait idealite faktörü (n), engel yüksekliği (Φb), doğrultma faktörü, seri direnç (Rs) gibi karakteristik parametreler belirlendi. Ayrıca elde edilen sonuçların doğruluğunu kontrol etmek için Norde fonksiyonu ve Cheung fonksiyonları kullanıldı.Numunelerin fotovoltaik parametrelerinin belirlenmesi için bir solar simülatör yardımıyla, AM1.5 (100 mW/cm2) aydınlatma altında I-V ölçümleri yeniden alındı ve doldurma faktörü (FF), dönüşüm verimi (η) gibi parametreler belirlendi. Bunların yanısıra numunelerin Kapasitans-Voltaj (C-V), Kapasitans-Frekans (C-f), İletkenlik-Voltaj (G-V), İletkenlik-Frekans (G-f) ölçümleri de alındı.
A Study of Surface Improvement of P-Si by Electrolytic Solution in Cu P-Si Schottky Contact Fabrication
(2021) Husseın, Qudama Alı Husseın; Temirci, Cabir
Bu çalışmada, yönelimi (100) ve özdirenci ρ = 1-10  cm olan p-tipi silikon tek kristal kullanıldı. Geleneksel kimyasal temizleme işlemlerinin ardından saf Alüminyum metali (%99.999) kristalin arka yüzeyine buharlaştırıldı ve bir kuvars tüp fırın kullanılarak azot atmosferinde tavlandı. Arka yüzeyinde ohmik kontak bulunan p-Si wafer üç parçaya bölündü ve bir parçası hemen vakum kaplama ünitesindeki numune tutucudaki maskenin üzerine yerleştirildi. Wafer'ın ön yüzeyine saf bir bakır metal (%99.98) buharlaştırıldı ve bu parça referans numune olarak adlandırıldı. Wfer'ın kalan iki parçasının omik kontakları üzerine iletken tel lehimler yapıldı. Bunlardan bir tanesinin ön yüzeyine %10'luk H2O2 elektrolitik çözeltisi ve %10'luk HF çözeltisi kullanılarak yüzey iyileştirme (yüzey pasivasyonu) işlemi uygulandı. Diğerinin ön yüzeyi kontrollü bir şekilde sadece %10'luk H2O2 elektrolitik çözeltisi kullanılarak oksitlendi. Böylece, termal olarak saf bakır metalinin (%99.98) p-Si wafer'lerin pasifleştirilmiş yüzeyi ve oksitlenmiş yüzeyi üzerine buharlaştırılmasıyla yüzey pasivasyonlu Schottky kontakları ve MIS Schottky kontakları üretildi. Cu/p-Si Schottky kontaklarının akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı ve grafikleri çizildi. Akım-voltaj verileri grafiklerle birlikte değerlendirildi. Schottky diyotların idealite faktörleri (n), engel yükseklikleri (Фb) gibi karakteristik parametrelerinin değerleri belirlendi. Cheung fonksiyonları kullanılarak seri direnç (Rs) değerleri belirlendi. Ayrıca sonuçların tutarlılığını kontrol etmek için idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Фb) değerleri yeniden belirlendi. Böylece kullanılan yüzey iyileştirme işleminin Cu/p-Si Schottky kontaklarının karakteristik parametreleri üzerine etkileri incelenmiş ve elde edilen sonuçlar yorumlanarak değerlendirilmiştir. Anahtar kelimeler: Diyot, Doğrultucu, Kontak, Schottky, Yüzey iyileştirme, Yüzey pasivasyonu.
The Fundemental Electrical Characteristics of Diods Throwing on the Market
(2007) Artiğ, Birol; Temirci, Cabir
Bu tez çalışmasında, üretici firma isimleri gizli tutularak piyasada pazarlanan bazı diyotların temel elektriksel karakteristiklerini ( doyma akım yoğunluğu, idealite faktörü ? ) incelemek üzere akım-voltaj (I-V) ölçümleri alındı. Akım-Voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler, üretici firmanın o diyot hakkında verdiği katalog değerleri ile karşılaştırıldı. Diyotlara ait akım-voltaj grafikleri incelenerek, doğrultucu özellik gösterip göstermedikleri araştırıldı. Akım-Voltaj ölçümleri alınan bütün diyotların doğrultucu özellik gösterdikleri tespit edildi. Diyotların idealite faktörü değerleri ise n=1.02 ile n=1.67 aralığında olduğu tespit edildi. Belli voltajlara karşılık diyotların doğru beslem durumunda çektikleri akım değerleri, üretici firmaların verdiği akım değerlerinden farklılıklar arz etmektedir. Bu farklılıklar; genellikle ölçümlerimiz sonucunda elde ettiğimiz akım değerinin, üretici firmanın verdiği akım değerinden daha küçük olduğu şeklinde ortaya çıkmıştır.