Browsing by Author "Tombak, Ahmet"

Now showing 1 - 3 of 3

Effects of the R-Go Doping on the Structural, Optical and Electrical Properties of Cdo Nanostructured Films by Ultrasonic Spray Pyrolysis
(Springer, 2020) Imer, Arife Gencer; Gulcan, Mehmet; Celebi, Metin; Tombak, Ahmet; Ocak, Yusuf Selim
Undoped and reduced graphene oxide (r-GO)-doped CdO films were prepared via the ultrasonic spray pyrolysis method with weight ratios of 1, 3 and 5% onto substrates. The successfully prepared films were characterized to understand the influence of r-GO dopant content on the morphological, structural, electrical and optical properties of the films by several diagnostic techniques. XRD measurement confirms that all the films were polycrystalline in the cubic phase of CdO with the preferred orientation (111). The optical band gap of the films decreases with the increase in doping amount. The r-GO@CdO nanostructured films were used as an interfacial layer to fabricate the heterojunction device and to investigate their electrical properties using current-voltage and capacitance-voltage measurements in the dark. The rectification properties of the studied devices increase with the r-GO dopant amount. The obtained results indicate that the r-GO content in the CdO films is responsible for the modification of physical properties of electronic device.
Spin Kaplama Yöntemiyle Hazırlanan Organik Arayüzeyi İçeren Al/p‐si Diyotunun Fotovoltaik Parametreleri Üzerine Aydınlanmanın Etkisi
(2017) Tombak, Ahmet; Imer, Arife Gencer; Korkut, Abdulkadir
Bu çalışmada, organik ara yüzey olarak brom timol mavisi (BTB) kullanılarak foto voltaik aygıt uygulaması rapor edilmiştir. Kimyasal olarak temizlenen tabanın mat yüzeyine ısıl buharlaştırma yöntemiyle Al arka kontak oluşturulduktan sonra, dönel kaplama yardımıyla organik ara yüzey tabakası Si taban üzerine kaplanmıştır. Aygıt üretimini tamamlamak için, bu organik ince filmin üzerine Al üst kontaklar oluşturulmuştur. Aygıtın foto voltaik özelliklerini iyileştirmek amacıyla hazırlanan örnek farklı şiddetlerdeki aydınlamaya maruz bırakılmıştır. Farklı aydınlanmalar altında aygıtın açık devre voltajı (Voc), kısa devre akımı (Isc) ve çıkış gücü (P) gibi temel güneş pili parametreleri belirlenmiştir. Aydınlanma şiddetinin artması ile fotoakım ve fotogerilim değerleri artmıştır. Ayrıca, yüksek ve düşük frekans değerlerinde aygıt sığasının voltaj bağımlılığı rapor edilmiştir. Aydınlanma şiddetinin üretilen aygıtın fotovoltaik parametreleri üzerinde önemli bir etkisinin olduğu sonucuna varılmıştır.
Synthesis, Characterization, Dft Studies, and Photodiode Application of Azo-Azomethine Ligand and Its Transition-Metal Complexes
(Springer, 2018) Tombak, Ahmet; Imer, Arife Gencer; Syan, Ranjdar Hamad Basha; Gulcan, Mehmet; Gumus, Selcuk; Ocak, Yusuf Selim
An azo-azomethine-based ligand (H2L) and its transition-metal complexes were prepared, and the electronic structure of the synthesized compounds obtained computationally using density functional theory at B3LYP/6-31G (d,p) level. Furthermore, organic-inorganic heterojunctions were fabricated by forming thin films of complexes of H2L and Co(II), Ni(II), and Pd(II) metal on n-Si substrate. The fundamental electrical parameters of the rectifying heterojunctions were identified based on current-voltage data obtained in the dark at room temperature. The photosensing properties of the devices were investigated under illumination at various intensities from 40 mW/cm(2) to 100 mW/cm(2). The results showed that the photoelectrical characteristics of the devices could be modified by the thin film of metal complex, with the best photosensing properties being obtained for the heterojunction based on compound 1.