Püskürtme Yöntemiyle İnce Film Güneş Pilleri Yapımı

Abstract

200-400 °C'de bulunan cam tabanları üzerinde $SnO_2$ , ZnO, CdO, CdS, $CuInSe_2$ ince filmleri tamamen püskürtmeyle, $Cu_2S$ ince filmleri ise Clevite işlemi ile CdS filmlerinin dönüşümünden elde edildi. Bu ince filmlerin yukarıda belirtilen sırada; 200-900 nm dalgaboyu aralığında optik geçirgenlikleri bazı dalgaboylarmda % 98, % 99, % 80, % 76, % 5, % 15, özdirençleri ise (1-60)x$10^{-2}$ $\\Omega$ cm, 12-143 $\\Omega$-cm, (0,02-3,0)x $10^{-3}$ $\\Omega$ cm, 19-800 $\\Omega$ cm,(0,8-1,3)x $10^{-3}$ $\\Omega$ -cm, 2,1-3,8 $\\Omega$ -cm, arasında bulundu. Anılan bu ince filmler arasında $Sn0_2/Cu_2S , ZnO/Cu_2S, CdO/Cu_2S, SnO_2/CuInSe_2, ZnO/CulnSe_2, CdO/CuInSe_2$ ince film güneş pilleri, cam tabanları üzerinde, oluşturularak bu ince film güneş pillerinin, yaklaşık 545 W/m2'Iik standart ışınım altında, açık devre gerilimleri ve kısa devre akımları ölçüldü. Yukarıda anılan sırada bu ince film güneş,pillerinin; açık devre gerilimleri 0,4-1,4 mV, 5-50 mV, 1-8 mV, 0,4-0,7 mV, 5-18 mV, 0,2-1,2 mV arasında, kısa devre akımları ise 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1-4 $\\mu$ A arasında, 1 $\\mu$ A'den daha küçük, 1 $\\mu$A'den daha küçük, 1 $\\mu$A civarında, saptandı. Bulunan bu değerlerin çok küçük olması nedeniyle söz konusu bu ince film güneş pillerinin verimleri belirlenemedi.