Yoğunluk Fonksiyoneli Teorisi ile Lialsi’un Basınç Altında Elektronik ve Titreşim Özellikleri

Abstract

Li içerikli malzemeler teknolojinin gelişmesinde önemli yere sahiptirler. Bu nedenle Li içerikli kristallerin yapısal elektronik vedinamik özelliklerinin bilinmesi önemlidir. LiAlSi kristalinin yapısal, elektronik ve örgü dinamik özellikleri, ab-initio psödopotensiyelmetodu ve Genel Gradyent Yaklaşımı ile doğrusal bir tepki ile gerçekleştirilmiştir. LiAlSi kristali Zincblende yapıda olup uzay grubu$F\\overline43m$'dir. LiAlSi kristalinin örgü parametresi 6.0306 Å olarak bulunmuştur. Hesaplanan örgü parametresi, yığın modulü ve yığınmodülünün birinci dereceden basınca göre türevi, deneysel ve diğer teorik hesaplamalar ile uyumludur. Elektronik band yapısı vefonon dağılım eğrisi, Quantum Espresso programı kullanılarak analiz edilmiştir. Fonon dağılım eğrisi ve fonon durumların yoğunluğu,yoğunluk fonksiyonel pertürbasyon teorisi ile hesaplanmıştır. Fonon frekans değerleri pozitif olduğundan LiAlSi kristali kararlıyapıdadır. Daha sonra P= 8.892 GPa basınç altında elektronik band yapısı ve fonon dağılım eğrisi incelenmiştir. P=0.0 GPa basınçtaLiAlSi kristali yarıiletken özelliği gösterirken P= 8.892 GPa basınç uygulandığında iletken özelliği gösterdiği ortaya konmuştur. Bubasınç değerinde de fonon frekans değerleri pozitiftir. Ayrıca iki farklı basınç altında (P=0.0 GPa ve P=8.892 GPa) Γ, X ve L yükseksimetri noktalarındaki enine, boyuna akustik ve enine, boyuna optik mod değerleri listelenmiştir. Bu çalışmanın sonuçlarının literatürekatkı sağlayacağı düşünülmektedir.