Bulanık Mantık Tasarımcısı ile Memristor Histerezis Eğrisinin Tahmini

Abstract

Bu çalışmada memristör taklit devresi olarak doğrusal, katkılı sürüklenme TiO2 modeli kullanılarak bulanık mantık tasarımcısı aracı ile memristör histerezis eğrisinin tahmin edilebilir bölgesinin optimize edilmesi amaçlanmıştır. Bu model kullanılarak memristör karakteristiğinin akım-gerilim (I-V) eğrisi yani histerezis döngüsü oluşturulmuştur. Analog uygulama çalışmalarında özellikle filtre devrelerinde belirli bir frekans aralığında histerezis döngüsünü elde edebilmek filtrenin kalitesinde önemli değişikliklere yol açmaktadır. Bu noktada en uygun parametre noktaları için çeşitli deneme yanılma testleri yapıldı. Burada, optimum histerezis döngü parametreleri, bulanık mantık tasarımcısı kullanılarak belirlendi. Sonuç olarak akım-voltaj ve frekans bilgisine bağlı olarak optimum histerezis döngüsü hakkında daha pratik ve daha kararlı sonuçlar elde edildi. Bu sayede kullanıcılar istenilen amaca ve ihtiyaca göre parametreleri belirleyerek daha öngörülebilir tepkiler alabilmektedir. Özellikle analog ve digital elektronik uygulama çalışmalarında hem zaman kaybını hem de çalışılabilir bölgeyi rahat belirleyerek sonuca daha kararlı yaklaşabilmektedirler.