Variable Order Memristors and Applications

Abstract

Chua tarafından 1971 yılında dördüncü temel devre elamanı olarak tanımlanan Memristörlerin varlığı 2008 yılında HP laboratuvarında yapılan çalışmalar sonucu memristör benzeri bir elaman ile keşfedildi. Bu çalışmada farklı kesir dereceli memristörlerin ve değişken dereceli yapıların etkisi incelenecektir. Böylece yeni nesil memristörlerin karakteristik özellikleri ve davranışları incelenecek ve örnek tasarım çalışmaları ile simülasyonda elde edilen davranışın aşarımı incelenecektir. Klasik memristörlerin davranışı kesir dereceli olarak modellendiğinde karakteristiğinde ciddi değişimler olduğu bilinmektedir. Literatürde bu değişikliğin sağladığı avantajlar ve dezavantajlar kısmen incelenmiş ve tartışılmıştır. Bu tez çalışmasında ise değişken dereceli memristörlerin davranışı incelenmiştir. Bu devre elemanının davranışı aktif filtrelere uygulanarak analiz edilmiş ve literatürdeki benzer çalışmalar ile tartışılmıştır

The existence of memristors, defined by Chua in 1971 as the fourth basic circuit element, was discovered in 2008 with a memristor-like element as a result of studies carried out in the HP laboratory. In this study, the effect of different fractional order memristors and variable order structures will be examined. Thus, the characteristics and behaviors of new generation memristors will be examined and the performance obtained in simulation with sample design studies will be examined. It is known that when the behavior of classical memristors is modeled as a fractional order, there are serious changes in its characteristics. The advantages and disadvantages of this change have been partially examined and discussed in the literature. In this thesis, the behavior of variable-order memristors was investigated. The behavior of this circuit element is analyzed by applying it to active filters and discussed with similar studies in the literature.