Charge Storage Capability of Al P-Si Al Schottky Contacts

Abstract

Günümüz teknoloji ve elektronik sanayisinde kullanılan Schottky kontaklar geniş bir kullanım alanına sahiptir. Bu yüzden bu elemanlar üzerinde durulması gerekir..Bu çalışmada, p-Si kristali üzerine Al kontaklar yapıldı. Bu kontakların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) karakteristikleri incelendi.Al/p-Si Schottky kontakların doyma akımı (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği ( ) değerleri I-V karakteristikleri kullanılarak belirlendi. Ayrıca, bu diyotların seri rezistans (Rs) değerleri Cheung fonksiyonları I-V verileriyle birlikte kullanılarak hesaplandı. Sonuçların doğru olup olmadığını kontrol etmek için idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği ( ) Cheung fonksiyonları kullanılarak bir kez daha elde edildi.Belli frekans değerlerinde, diyotların C-V karakteristikleri incelendi ve grafik üzerinde oluşan pikler gözlendi. Al/p-Si Schottky kontakların C-f karakteristikleri incelendi. Uzay yükü kapasitansına ilaveten ortaya çıkan artık kapasitansın oluşma nedenleri incelendi.Anahtar Kelimeler: Schottky diyotları, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Seri direnç.Used in nowadays technology and electronic industry, Schottky contacts have a wide application area. So, we must focus on these circuit elements.In this study, aluminum contacts were made on p-Si crysital. The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) characteristics of the contacts were studied.The values of saturation current (Io), ideality factor (n) and barrier height ( ) of the Al/p-Si Schottky contacts were determined by using I-V characteristics. Moreover, the values of series resistance (Rs) of the diodes were calculated via using Cheungs? functions together with I-V data. To verify the results the values of the ideality factor (n) and the barrier height ( ) were also determined by using Cheungs? functions.At certain frequency values, C-V characteristics of the diodes were investigated and formed peaks on the graph were observed. The C-f characteristics of the Al/p-Si Schottky contacts were studied. The causes of generation of the excess capacitance in addition to space charge capacitance were studied.Keywords: Schottky diode, Ideality factor, Barrier height, Series resistance.