Au/N-si Schottky Diyotlarda Omik Kontak Direncinin Kapasite-Frekans (c-F) Karakteristiklerine Etkisi

Abstract

Au/n-Si Schottky diyotlarında, düşük frekanslarda C-f karakteristiklerinde uzay yükü sığasına ilave olarak ortaya çıkan artık kapasite araştırıldı. Omik kontak direnci yüksek ve omik kontak direnci ihmal edilecek kadar düşük olmak üzere iki adet Schottky kontağı arayüzey tabakasız MS Au/n-Si diyot imal edildi. Ayrıca, Schottky kontağı arayüzey tabakalı, omik kontak direnci yüksek ve omik kontak direnci ihmal edilecek kadar düşük olmak üzere iki adet MIS diyotu yapıldı. Bu diyotların oda sıcaklığında l-V ve C-f ölçümleri alınarak karakteristikleri incelendi. Omik kontak direnci düşük ve arayüzey tabakasız diyotta, C-f eğrisinin 200 Hz 'den 2.0 MHz 'e kadar sabit kaldığı gözlendi. Omik kontak direnci düşük arayüzey tabakalı diyotta artık sığa değerinin düşük olduğu, buna karşılık Omik kontak direnci yüksek arayüzey tabakasız diyotta ise artık sığa değerinin daha büyük ve hem Omik kontak direnci yüksek hem de arayüzey tabakalı diyotta ise artık sığa değeri en büyük olarak tespit edildi. Bu gözlemlere göre Au/n-Si Schottky diyotlarında, C-f karakteristiklerinde düşük frekanslarda görülen uzay yükü sığasına ilave kapasitenin sadece arayüzey hallerinden ileri gelmediği, bunun yanında omik kontak direncinin belirgin bir katkısının olduğu ve artık sığanın sadece arayüzey hallerinin bir ölçüsü olamayacağı sonucuna varıldı.