Investigation of Nicugo N-Si Alla Schottky Diodes' Electrical Properties Under Light

Abstract

Üst kontağı metal ve toz grafen oksit karışımı kullanılarak, NiCuGO(%15)/n-Si/AlLa ve NiCuGO(%30)/n-Si/AlLa olarak grafen oksitli ve aynı diyotlar NiCu metal bileşimi ile karşılaştırma diyotu olarak grafensiz Schottky diyotlar üretildi. Diyotların karanlıkta ve ışık altında elektrik değişkenleri incelendi. Diyotların omik kontağı Al(%75)La(%25) oranında omik kontak yapılmış, diyotların elektriksel değişkenlerinin özelliklerinin nasıl etkilendiği incelenmiştir. İncelemeler ters ve düz besleme durumunda yapılmıştır. Grafen oranı büyük olan diyotların daha kararlı parametre değeri gösterdiği ortaya kon-muştur.

Using a mixture of top contact metal and powder graphene oxide, Schottky di-odes were produced with graphene oxide as NiCuGO(15%)/n-Si/AlLa and Ni-CuGO(30%)/n-Si/AlLa and graphene-free as comparison diodes with the same diodes NiCu metal composition. The electrical parameters of diodes in the darkness and under light were examined. One series of diodes had Al (75%) and La (25%) back contact, and how the properties of the diodes' electric shafts were affected was studied. In the case of reverse and forward bias, examinations were carried out. Diodes with a higher proportion of graphene have been shown to exhibit more stable parameter values.