In Al P-Si Schottky Diodes and Ms and Mos States on the Comparation of Diodes Parameters

Abstract

Al/p-Si/Al Schottky kontaklarını ürettik. Üretilen yapının elektriksel karakteristiklerini incelemek için iki örnek göz önüne alındı. Numune fabrikasyonu için, 13 Wcm özdirençli ve 500 mm kalınlıklı p-Si taban malzeme (substrate) olarak kullanıldı.Numunelerin akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Ters doyma akım yoğunluğu (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Fb) değerleri her iki yapı için yarı logaritmik I-V grafikleri kullanılarak elde edildi. İlave olarak, hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerini kontrol etmek ve seri direnç değerlerini belirlemek için Cheung fonksiyonları kullanıldı.Numunelerin ters beslem kapasitans-voltaj (C-V) ve (C-2-V) grafikleri -3 V-0 V aralığında ve 1MHz'de çizildi. Al/p-Si/Al kontakların C-V karakteristikleri bu grafikler kullanılarak incelendi. Ayrıca, numunelerin kapasitans-frakans karakteristikleri, C-f grafikleri kullanılarak araştırıldı. C-f grafiklerinden görüldüki, ölçülen kapasitansın büyük değerleri düşük frekanslarda meydana gelmektedir ve frekansın belli bir değerine kadar neredeyse sabit kalmaktadır. Kapasitansın büyük değerlerinin küçük frekanslarda meydana gelmesi, düşük frekanslarda ac sinyaline ayak uydurabilen ve p-Si ile dengede olan arayüzey hallerinden kaynaklanan artık sığadan ileri gelmektedir.Anahtar kelimeler: Arayüzey halleri, Engel yüksekliği, Schottky diyodu, Omik kontak.

In this study, we have used Al/p-Si Schottky contacts fabricated previously. Samples have been named to be diode I and II diode.In nowadays technology and in electronic industry Schottky contacts are widely used and they have large applied field. Due to that useful necessity of them, they must be vastly investigated.In this study, on the n-type silicon crystal the contacts of aluminum have been made and the characteristics of ln (I)-V, C-V, C-f of Al/p-Si Schottky diode have been investigated.From ln(I)-V plot of the Al/n-Si/Al diode, idealizing factor (n), barrier height (eFbn), donor density (ND), saturation current (I0) and serial resistor (Rs) have been calculated. In addition by using of Cheung functions the same parameters have been checked.In a certain frequency interval of the diode C-V characteristics have been examined and in obtained graphic peak values have been observed. The C-f characteristics of the Al/n-Si/Al diode have been studied. Causes of addition capacity of the space charge have also been researched.Key words : Barrier height, Interface states , Ohmic contact, Schottky diode.