Examination of Electrical and Solar Cell Properties (pdcumgsn N-Gap Cu) and (pdcumg N-Gap Cu) Schottky Diodes Under the Light in the Case of the Forward and Reverse Bias

Abstract

Bu çalışmada, iki adet Schottky diyot üretilmiştir. Birinin fotodiyot (PdCuMgSn /n-GaP/Cu) diğerinin (PdCuMg/n-GaP/Cu) güneş pili diyot olarak çalıştığı görülmüştür. Çalışmada diyod örnekleri beyaz ışık filtresiz ve altı farklı renkte filter kullanılarak ay-dınlatılmıştır. Aydınlatlatmada kullanılan ışık şiddeti 6200 lx-2000 lx aralığında seçilmiştir. Işık kaynağı diyot örneklerine 10'ar birimlik adımlarla yaklaştırılmıştır (10'luk birim 7.5 cm). Her uzaklık değeri için, diyot örnekleri üzerine düşen ışık akısı akıölçer ile ölçülmüştür. Her ışık akı değerine karşılık gelen diyotların I-V ve C-V data-ları alınmıştır. Fotodiyodun temel ve hesaplanmış değişkenlerinin grafikleri, güneş pili diyotun ise, güneş pili değişkenlerinin grafikleri çizilmiştir. Ek olarak, fotodiyodun da bazı renkli filtreler altında güneş pili gibi davrandığı görülmüştür.

In this study, two Schottky diodes were produced. One has been seen to work as a photodiode (PdCuMgSn/n-GaP/Cu) and the other (PdCuMg/n-GaP/Cu) as a solar cell diode. Photodiode was illuminated with white light and six (6) colored lights (color-ful display lighting filters were used in stores). Illuminated was done in the range of 6200 lx-2000 lx with maximum light magnitudes. The light source is close to the diode samples in 10-unit steps. Incident light to the diode samples at each distance value were measured with the fluxmeter. I-V and C-V data of diodes of each flux values are taken. Graphics of the basic and calculated variables of the photodiode and the solar cell diode are drawn. The photodiode was also seen to act as a solar cell under some colorful fil-ters.