In Al N-Si Schottky Diodes Effects of Interface States on I-V, C-V, C-F Characteristics

Abstract

ÖZETAl/N-Sİ SCHOTTKY DİYOTLARINDA ARAYÜZEYHALLERİNİN I-V,C-V,C-f KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİALTAŞ, AsımYüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim DalıTez Danışmanı: Yrd. Doç. Dr. Bahri BatıNisan 2006, 38 SayfaGünümüz teknolojisinde ve elektronik sanayide çok fazla kullanılan Schottky kontaklar geniş biruygulama alanına sahiptir. Bu nedenle bu elemanlar üzerinde çok fazla durulması gerekir.Bu çalışmada n-tipi Silisyum kristal üzerine Aleminyum kontağı yapıldı. Al/n-Si/Al Schottkydiyotun ln(I)-V, C-V, C-f, karakteristikleri incelendi.Al/n-Si/Al diyotun ln(I)-V grafiğinden idealite faktörü (n), engel yüksekliği (eФbn), donaryoğunluğu (ND), doyma akımı (Io) ve seri direnci (Rs), hesaplandı. Ayrıca Cheung Fonksiyonları yardımıylaaynı parametreler kontrol edildi.Diyotun belirli frekans aralığında C-V karakteristikleri incelendi ve elde edilen grafikte pikdeğerleri gözlendi. Al/n-Si/Al diyotun C-f karakteristikleri incelendi. Uzay yükü kapasitesine ilavekapasitenin nedenleri araştırıldı.Anahtar kelimeler: Arayüzey halleri, Engel yüksekliği, Omik kontak.Schottky diyodu,

ABSTRACTIN Al/N-Si SCHOTTKY DIODES EFFECTS OF INTERFACE STATES ON I-V, C-V, C-fCHARACTERISTICSALTAŞ,AsımMsc, PhysicsSupervisor: Assist. Prof. Dr. Bahri BATIApril 2006, 38 pagesIn nowadays technology and in electronic industry Schottky contacts are widely used and they havelarge applied field. Due to that useful necessity of them, they must be vastly investigated.In this study, on the n-type silicon crystal the contacts of aluminum have been made and thecharacteristics of ln (I)-V, C-V, C-f of Al/n-Si/Al Schottky diode have been investigated.From ln(I)-V plot of the Al/n-Si/Al diode, idealizing factor (n), barrier height (eΦbn), donor density(ND), saturation current (I0) and serial resistor (Rs) have been calculated. In addition by using of Cheungfunctions the same parameters have been checked.In a certain frequency interval of the diode C-V characteristics have been examined and in obtainedgraphic peak values have been observed. The C-f characteristics of the Al/n-Si/Al diode have been studied.Causes of addition capacity of the space charge have also been researched.Key words : Barrier height, Interface states , Ohmic contact, Schottky diode.