YYÜ GCRIS Basic veritabanının içerik oluşturulması ve kurulumu Research Ecosystems (https://www.researchecosystems.com) tarafından devam etmektedir. Bu süreçte gördüğünüz verilerde eksikler olabilir.
 

Comparison of Resistance Parameters of Ohmic and Non-Ohmic Schottky Diodes by Applying Forward and Reverse Bias Voltage

dc.contributor.advisor Korkut, Abdulkadir
dc.contributor.author Tunç, Müslim
dc.date.accessioned 2025-05-10T20:09:16Z
dc.date.available 2025-05-10T20:09:16Z
dc.date.issued 2021
dc.department Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstract Yeni üretilmiş Metal/p-Si/Cu (omik) ve Metal/p-Si/Cu (non-omik), Schottky diyotların direncine ait parametrelerin nasıl değiştiği araştırılmıştır. Ters ve düz besleme durumunda Schottky diyot parametreleri hesaplanmış, parametreler omik ve nonomik olmasına göre incelenmiştir. Bu verilerden yararlanılarak diyotun toplam direnci de hesaplanmıştır. Yeni bir matematik yaklaşımla 'seri direnç' incelenmiş ve ilginç sonuçlara ulaşılmıştır.
dc.description.abstract Newly produced Metal/p-Si/Cu (omic) and Metal/p-Si/Cu (non-omic) investigated how the parameters for the resistance of Schottky diodes changed. Schottky diode parameters were calculated in case of reverse and forward bias, and parameters were examined according to omic and non-omic. Using this data, the total resistance of the diode was also calculated. 'serial resistance' was examined with a new mathematical approach and interesting results were reached. en_US
dc.identifier.endpage 95
dc.identifier.uri https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=RjZwH00oMG4iNa5SgvlggzkDdf1Esmwt2c1E29y3ZiGtUqMTEYcebN61S5TNN8Jb
dc.identifier.uri https://hdl.handle.net/20.500.14720/21795
dc.identifier.yoktezid 705645
dc.language.iso tr
dc.subject Fizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subject Physics and Physics Engineering en_US
dc.title Comparison of Resistance Parameters of Ohmic and Non-Ohmic Schottky Diodes by Applying Forward and Reverse Bias Voltage en_US
dc.title.alternative Düz ve Ters Besleme Gerilimi Uygulanarak Omik ve Omikolmayan Schottky Diyotların Direnç Değişkenlerininkarşılaştırılması en_US
dc.type Master Thesis en_US

Files

Collections