The Experimental Research Methods of Kinetic (Transport) Events on the Semiconductors

dc.contributor.advisor Hüseynov, Ferman
dc.contributor.author Borazan, Hayriye
dc.date.accessioned 2025-06-30T15:52:06Z
dc.date.available 2025-06-30T15:52:06Z
dc.date.issued 2007
dc.department Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı
dc.description.abstract ÖZETYARIİLETKENLERDE KİNETİK(TAŞINMA) OLAYLARIN DENEYSELARAŞTIRMA YÖNTEMLERİBORAZAN, HayriyeYüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim DalıTez Danışmanı: Doç. Dr. Ferman HÜSEYNOVOcak 2007, 37 sayfaBu çalışmada, yarıiletkenlerde kinetik olayların bir kısmı incelenmiştir.Öncelikle yarıiletkenlerin genel bir tanımı tekrar ele alındı. Ayrıca yarıiletkenlerin,metaller ve dielektrikler ile farkı, band modeli esasına göre tartışıldı. Üçlü AMX2bileşiklerinin yapısal, elektriksel, fiziksel ve ısısal özellikleri araştırıldı. Üçlübileşiklerden AgNiTe2, AgCrSe2, AgCrTe2 ve AgNiSe2 kristallerinin sıvı azot ileyapılan deneylerde, değişen voltaj değerlerine karşılık gelen direnç değerleriölçüldü. Alınan ölçümler sonucunda her bir kristalin sıcaklık-direnç grafikleri çizildive kristallerin yarıiletken özellik gösterdikleri bölgeler hesaplandı.Anahtar kelimeler: Band modeli, AgNiTe2, AgCrSe2, AgCrTe2 veAgNiSe2 kristalleri, Yarıiletkenler.i
dc.description.abstract ABSTRACTTHE EXPERIMENTAL RESEARCH METHODS OF KINETIC(TRANSPORT) EVENTS ON THE SEMICONDUCTORSBORAZAN, HayriyeM. Sc., PhysicsSupervisor: Assoc. Prof. Dr. Ferman HÜSEYNOVJanuary 2007, 37 pagesIn this research, some parts of the kinetic events in the semiconductors arestudied. At first, a general description of the semiconductors is considered. Also thedifference of semiconductors from the metals and the dielectrics is discussedaccording to the foundation of bands. The structural, electrical, physical and thermalproperties of triple compounds of AMX2 structure. From the experiments that arecarried out by the triple combinations of the crystals of AgNiTe2, AgCrSe2,AgCrTe2, AgNiSe2 in liquid nitrogen, the values of resistance corresponding for thevalues of voltages are measured. The temperature-resistance graphic for each crystalis drawn and the ranges on which the crystal shows peculiarity of semiconductorsare calculated.Key words: Band model, AgNiTe2, AgCrSe2, AgCrTe2 and AgNiSe2crystals, The semiconductors.iii en_US
dc.identifier.endpage 44
dc.identifier.uri https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=XohQ0H2mJnBfxLPsY8dG46YVEBoqAZnqWiVeMP51HSRy64p80SpgNnCzQwc-V0dj
dc.identifier.uri https://hdl.handle.net/20.500.14720/27210
dc.identifier.yoktezid 199680
dc.language.iso tr
dc.subject Fizik ve Fizik Mühendisliği
dc.subject Physics and Physics Engineering en_US
dc.title The Experimental Research Methods of Kinetic (Transport) Events on the Semiconductors
dc.title Yarıiletkenlerde Kinetik (Taşınma) Olayların Deneysel Araştırma Yöntemleri en_US
dc.type Master Thesis en_US
dspace.entity.type Publication

Files

Collections